鍍膜機產品及廠家
小型蒸發(fā)鍍膜儀，實驗室氣相沉積設備用于真空蒸發(fā)鍍光學薄膜、有機物薄膜和金屬薄膜、在襯底上沉積各單層金屬 膜，主要用于蒸鍍電及有機半導體材料的物理化學性能研究實驗研究 。特別適合于高科技企業(yè)、科研單位和高校用于膜層研究和膜系開發(fā)。
更新時間:2025-08-20
英國oxford vacuum 電子束蒸發(fā)鍍膜機vapour station 4,是一款微納器件樣品制備系統(tǒng)，為有機無機多源有氣相分子沉積系統(tǒng)，高真空條件下，通過加熱材料的方法，在襯底上沉積各 種化合物、混合物單層或多層膜，具有高真空多源有機、金屬電阻蒸發(fā)及手 套箱保護條件下器件后期制作，主要用于有機半導體材料的物理化學性能，研究實驗、有機半導體器件的原理研究實驗也可用于普通金屬電蒸發(fā)鍍膜究。
更新時間:2025-08-19
小型蒸發(fā)鍍膜儀，實驗室氣相沉積設備用于真空蒸發(fā)鍍光學薄膜、有機物薄膜和金屬薄膜、在襯底上沉積各單層金屬 膜，主要用于蒸鍍電及有機半導體材料的物理化學性能研究實驗研究 。特別適合于高科技企業(yè)、科研單位和高校用于膜層研究和膜系開發(fā)。
更新時間:2025-08-19
日立hitachi 離子濺射儀 mc1000,采用lcd觸摸屏，可以更加簡便地設定加工條件,可處理較厚或較大的樣品(選配件),記憶功能可存儲常用加工條件.
更新時間:2025-08-19
美國neocera pld 脈沖激光沉積系統(tǒng) p180 , 一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結構和納米粒子合成的方法. ped 脈沖電子束沉積系統(tǒng) ped-180,是高能脈沖 (100ns) 電子束 ( 約 1000 a,15 kev) 在靶材上穿透將近 1 um，使靶材快速蒸發(fā)形成等離子體。對靶材的非平衡提取（燒灼）使等離子體的組成與靶材的化學計量組成一致。在最佳條件下，靶材的化學計量與沉積
更新時間:2025-08-19
法國plassys微波等離子體化學氣相沉積系統(tǒng) ssdr 150 ，門用于合成 cvd 金剛石薄膜，能夠制備高純單晶(需高純氣源）、厚單晶、大單晶、多晶薄膜、光學窗口。ssdr150 不斷優(yōu)化的微波及等離子體設計，是一款可靠的、穩(wěn)定的、長時間運行的金剛石薄膜生長系統(tǒng)，能夠完美地適用于高？蒲泻推髽I(yè)生產。
更新時間:2025-08-19
英國hhv桌上型濺射鍍膜儀bt150和bt300,新系列小型桌上系統(tǒng)，觸摸屏顯示控制，適合于sem及tem電鏡樣品制備及常規(guī)科研的全功能系統(tǒng)。
更新時間:2025-08-19
上海到漢中物流公司 從上海貨運到漢中需要多少錢？貨運公司哪家好?推薦漢中物流400-697-cc，兢兢業(yè)業(yè)，風雨無阻，公司專業(yè)承接；
更新時間:2025-08-19
上海伯東代理剝離成形電子束設備可以準確的控制蒸發(fā)速度, 因此薄膜厚度和均勻度皆小于 ±3％, 客制化的基板尺寸, 大直徑可達 12寸晶圓, 腔體的限真空度約為 10-8 torr.
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理美國原裝進口 kri 射頻離子源 rficp 140 是一款緊湊的有柵離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 rficp 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理 syskey 臺灣矽碁科技超高真空電子束蒸鍍設備腔體限真空度約為 10-10torr, 針對超高真空和高溫加熱設計基板旋轉鍍膜機構, 使用陶瓷培林旋轉, 并在內部做水冷循環(huán)來保護機構以確保長時間運轉的穩(wěn)定性, 可以提供高質量的薄膜, 薄膜均勻度小于 ±3％.
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理美國原裝進口 kri 射頻離子源 rficp 220 高能量柵離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 rficp 220 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務. 標準配置下射頻離子源 rficp 220 離子能量范圍
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理 syskey 臺灣矽碁科技電子束蒸鍍設備是一種實用且高度可靠的系統(tǒng), 蒸鍍系統(tǒng)可針對量產使用單一坩堝也可以有多個坩堝來達到產品多層膜結構. 在基板乘載上針對半導體研究和大型設備設計, 單片和多片公自轉的設計可以控制蒸發(fā)速率, 薄膜厚度和均勻度小于 +/- 3％. 腔體的限真空度約為 10-8 torr. 為了獲得盡可能大的制程靈活性, 可以結合美國 kri 離子源進行離子輔助沉積或
更新時間:2025-08-18
上海伯東美國 kri 大口徑射頻離子源 rficp 380, 3層柵設計, 柵口徑 38cm, 提供離子動能 100-1200ev 寬束離子束, 大離子束流 > 1000ma, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應用. 廣泛應用于離子束刻蝕機.
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理超高真空磁控濺鍍設備 uhv sputter 廣泛應用于半導體, 納米科技, 太陽能電池,科研等行業(yè), 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理原子層沉積設備可以精準的控制 ald 的制程, 薄膜的厚度和均勻度皆小于 +/- 1％, 廣泛應用于 oled 和硅太陽能電池的鈍化層, 微機電系統(tǒng), 納米電子學, 納米孔結構薄膜, 光學薄膜, 薄膜封裝技術等域.
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理美國原裝進口 kri 霍爾離子源 eh 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eh 1000 所有的性能, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理美國原裝進口 kri 射頻離子源 rficp 40 : 目 kri 射頻離子源 rficp 系列尺寸小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內. 離子源 rficp 40 設計采用創(chuàng)新的柵技術用于研發(fā)和開發(fā)應用. 離子源 rficp 40 無需電離燈絲設計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業(yè)應用. 標準配置下 rficp 40 離子能量范圍 100 至 1200ev,
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理美國原裝進口 kri 霍爾離子源 eh 400 低成本設計提供高離子電流, 霍爾離子源 eh 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
更新時間:2025-08-18
美國 kri 霍爾離子源 eh 系列緊湊設計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等的細微加工能力, 霍爾離子源 eh 可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導體應用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護.
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理美國原裝進口 kri 考夫曼型離子源 rficp 100 緊湊設計, 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設計但是可以輸出 >400 ma 離子流. 考夫曼型離子源 rficp 100 源直徑19cm 安裝在10”cf 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻. 標準配
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理的磁控共濺鍍腔提供了準確控制多個磁控濺鍍的制程條件, 加裝美國 kri 離子源為客戶提供更好質量的復合式薄膜.單片和多片式的loading chamber, 可節(jié)省其制程腔體的抽氣時間, 進而節(jié)省整體實驗時間. 廣泛應用于半導體, 納米科技, 太陽能電池等行業(yè)以及氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
更新時間:2025-08-18
實驗室流延薄膜機 單螺桿擠出機 小型流延薄膜機型號：aod-xh-432 設備規(guī)數(shù) 型號aod-xh-25 單螺桿擠出機 機架采用型鋼焊接而成,并經回應力處理,有較高的鋼性,變形小。料筒及螺桿 標配：3d混煉頭帶分散性單螺桿料筒及螺桿
更新時間:2025-08-15
leica em ace600是優(yōu)良的多用途高真空薄膜沉積系統(tǒng)，設計來根據(jù)您的fe-sem和tem應用的需要生產非常薄的，細粒度的和導電的金屬和碳涂層，用于高分辨率分析。
更新時間:2025-08-15
運行平穩(wěn)無抖動，液面無振動，可保證設備的穩(wěn)定性以及成膜的均勻性。 · 自主研發(fā)的程序控制系統(tǒng)，簡潔明了、操作方便。
更新時間:2025-08-15
本產品是根據(jù)國標gb/t21719-2008《稻整精米率檢驗法》*新研制，是制定國家稻谷標準中整精米率數(shù)據(jù)的*指定儀器。
更新時間:2025-08-15
jc503-eb100提拉鍍膜機是一款基本型提拉鍍膜機，可自動完成在鍍膜溶液中多次鍍膜之需求，重復鍍膜次數(shù)可達999次。所有運行參數(shù)如運行速度，提拉/浸漬高度，浸漬時間，間隔時間，重復鍍膜次數(shù)等均可在觸屏上方便設置。
更新時間:2025-08-15
xf803-931浸漬提拉鍍膜機是適用于溶膠-凝膠法（sol--gel法，簡稱sg法）制備薄膜的浸漬提拉法的一款高精度儀器。核心部件采用進口配件，精準控制提拉速度，多次重復鍍膜無位置偏差。提拉速度、提拉高度、浸漬時間、循環(huán)鍍膜次數(shù)、下降速度、停留時間均可以通過程序精確控制。適用于玻璃、si（100）、si（111）、藍寶石（al2o3）、瓷片以及樹脂基板等常用基板。
更新時間:2025-08-15
縱向式cat-cvd設備ccv系列ccv series是a-si鍍膜用的縱向式cvd設備。有30年以上的量產實績。在各個chamber通過低壓鍍膜，得到高品質的膜質。
更新時間:2025-08-13
枚葉式pecvd設備cme-200e/400枚葉式pe-cvd設備cme-200e/400是適用于si系絕緣膜、barrier膜等成膜的量產用pecvd設備。
更新時間:2025-08-13
load-lock式plasma cvd設備 cc-200/400load-lock式plasma cvd設備cc-200/400是小型的使用便利的可對應從研究開發(fā)到量產的設備。
更新時間:2025-08-13
技術參數(shù)：l自動的換氣與泄氣功能，可以得到一致的膜厚，和佳的導電噴鍍效果。l通過高效低壓直流磁控頭進行冷態(tài)精細的噴鍍過程，避免樣品表面受損。
更新時間:2025-08-13
比利時almeco鼓風機，德國總部直接采購，原裝，貨期，支持技術選型，為您提供一對一優(yōu)勢解決方案：赫爾納大連公司在中國設有10個辦事處，可為您提供的維修服務。
更新時間:2025-08-13
極域真空鍍膜系統(tǒng)以“真空性能”與“全域工藝覆蓋”為內核，成為半導體、光學、新能源等制造領域的標桿設備，助力客戶突破鍍膜技術瓶頸，實現(xiàn)“高精度、高效率、高回報”的智造升級。
更新時間:2025-08-12
歐尼卡onick am-38帶彩信版野生動物紅外監(jiān)測相機支持3000萬像素高清拍照，4k高清視頻拍攝。儀器啟動反應快，成像清晰，色彩真實。大可支持256gb sd存儲卡，兼容各種品牌？纱钶d我司自主研發(fā)的云平臺圖像處理系統(tǒng)（軟著登記號：2022sr0370995），對抓拍到的圖片及視頻進行識別與分析，還可搭配手機app遠程控制相機（軟著登記號：2022sr0370994），遠程控制修改參數(shù)，
更新時間:2025-08-10
緊湊型、模塊化和智能化ccu-010為一款結構緊湊、全自動型的離子濺射和/或蒸發(fā)鍍碳設備，使用非常簡便。采用獨特的插入式設計，通過簡單地變換鍍膜頭就可輕松配置為濺射或蒸鍍設備。在鍍膜之和/或之后，可以進行等離子處理。模塊化設計可輕松避免金屬和碳沉積之間的交叉污染。ccu-010標配膜厚監(jiān)測裝置。
更新時間:2025-08-05
緊湊型、模塊化和智能化ccu-010為一款結構緊湊、全自動型的離子濺射和/或蒸發(fā)鍍碳設備，使用非常簡便。采用獨特的插入式設計，通過簡單地變換鍍膜頭就可輕松配置為濺射或蒸鍍設備。在鍍膜之和/或之后，可以進行等離子處理。模塊化設計可輕松避免金屬和碳沉積之間的交叉污染。ccu-010標配膜厚監(jiān)測裝置。
更新時間:2025-08-05
緊湊型、模塊化和智能化ccu-010 hv_ct-010為一款結構緊湊、全自動型的熱蒸發(fā)鍍碳設備，使用非常簡便。采用獨特的插入式設計，變換鍍膜頭非常簡單。在鍍膜之和/或之后，可以進行等離子處理(可選項)。模塊化設計可輕松避免交叉污染。ccu-010標配膜厚監(jiān)測裝置。
更新時間:2025-08-05
緊湊型、模塊化和智能化ccu-010 hv_sp-010為一款結構緊湊、全自動型的離子濺射鍍膜儀，使用非常簡便。采用獨特的插入式設計，變換鍍膜頭非常簡單。在鍍膜之和/或之后，可以進行等離子處理。模塊化設計可輕松避免交叉污染。標配ftm膜厚監(jiān)測裝置。
更新時間:2025-08-05
浸漬提拉鍍膜機功能特征高精度電機---英國ossila浸漬提拉鍍膜機采用高精度電機，樣品浸漬重復性好。平滑運動---英國ossila浸漬提拉鍍膜機采用微頻步進電機，基片浸入、提出過程平滑精準，保證浸漬
更新時間:2025-07-31
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