其他產(chǎn)品及廠家

PTL溫升測(cè)試角進(jìn)口測(cè)試角
ptl溫升測(cè)試角,進(jìn)口測(cè)試角,ptl溫度測(cè)試角,p06系列測(cè)試角
更新時(shí)間:2026-01-06
PCIE2.0 3.0 驗(yàn)證 調(diào)試和一致性測(cè)試解決方案
遇到的問題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫正常,memory mapping空間讀寫異常
更新時(shí)間:2026-01-06
PCIE2.0 3.0 物理層一致性測(cè)試
cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線與pci總線不同,pcie總線使用端到端的連接方式,在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備,這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成,目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路,還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2026-01-06
PCIE2.0 3.0 TX 發(fā)送 物理層一致性測(cè)試
pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處,但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中,數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生,然后再經(jīng)過該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer),終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2026-01-06
PCIE2.0 3.0 RX 接收 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài),主電源已經(jīng)停止供電時(shí),pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求,使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
更新時(shí)間:2026-01-06
PCIE Gen2/Gen3/Gen4 發(fā)送端 信號(hào)質(zhì)量一致性測(cè)試
pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定,懷疑以下原因:- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問題- serdes電源問題- 時(shí)鐘問題
更新時(shí)間:2026-01-06
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試集成電路的發(fā)明是人類歷史上的大創(chuàng)舉,它大地推動(dòng)了人類的現(xiàn)代文明進(jìn)程,在天無時(shí)無刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來,集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平,更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能,當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來說遇到的挑戰(zhàn)和問題也就越來越嚴(yán)峻。
更新時(shí)間:2026-01-06
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中,般提供×16的pcie插槽,并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線組成32對(duì)差分信號(hào),其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路,另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號(hào)。
更新時(shí)間:2026-01-06
Pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來信噪比(snr)的挑戰(zhàn),也即隨著信號(hào)幅度越來越低,對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來越來越熱的pam 調(diào)制,比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù),由于采用 4 電平調(diào)制,其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
更新時(shí)間:2026-01-06
Pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線定義了兩類配置請(qǐng)求,個(gè)是type00h配置請(qǐng)求,另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
更新時(shí)間:2026-01-06
Pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代,工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車,每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn),但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律,也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
更新時(shí)間:2026-01-06
Pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要,其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu), ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過程中,發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
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Pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配,只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠商,而device id代表這個(gè)廠商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7,其vendor id為0x10ee,而device id為0x7028。
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Pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真,那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問題,如果要改善, 只能再改板調(diào)整,還可能出現(xiàn)改板很多次的情況,這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2026-01-06
EMMC 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí),焊盤部分要增加敷銅禁布框,避免銅皮分布不均影響散熱,導(dǎo)致貼片虛焊。
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EMMC 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過大的問題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式,發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚夾地線,而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上,整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲,于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
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EMMC 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
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EMMC 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問題。我們通過使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
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EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上,示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗;電纜的另頭剝開,屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上,中心導(dǎo)體通過個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本,低衰減比,缺點(diǎn)是致性不好,隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2026-01-06
Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來說,emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2026-01-06
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller,包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2026-01-06
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface(cmd,data,clk)、memory core interface、總線接口控制(card interface controller)、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2026-01-06
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過發(fā)cmd的方式來實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2026-01-06
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC5 復(fù)位測(cè)試
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state,發(fā)送完 cid 后,emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2026-01-06
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2026-01-06
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host,頻率與 clk 信號(hào)相同,用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用,啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性,省去總線 tuning 過程。
更新時(shí)間:2026-01-06
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
更新時(shí)間:2026-01-06
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
更新時(shí)間:2026-01-06
控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試 EMMC 復(fù)位測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開始接收 response。
更新時(shí)間:2026-01-06
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開始接收 response。
更新時(shí)間:2026-01-06
clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試,眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值,不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2026-01-06
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下,data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù),其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) (byte 1,3,5...),下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)(byte 2,4,6 ...)。
更新時(shí)間:2026-01-06
復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí),host 可以發(fā)送 cmd19 命令,觸發(fā)總線測(cè)試過程(bus testing procedure),測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2026-01-06
梅特勒電極(有問題,產(chǎn)品上留有碎渣)
梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120(有問題,產(chǎn)品上留有碎渣) 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
更新時(shí)間:2026-01-06
Nand Flash 眼圖測(cè)試, 時(shí)序測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試 幅度測(cè)試操作細(xì)節(jié)
nfps-5000是阿儀網(wǎng)專為nand flash測(cè)試開發(fā)的精密測(cè)試平臺(tái),集成四大測(cè)試模塊,提供從基礎(chǔ)測(cè)試到分析的全套解決方案。系統(tǒng)支持自動(dòng)化測(cè)試流程,大幅提升測(cè)試效率和準(zhǔn)確性。
更新時(shí)間:2026-01-06
絕緣子鹽密度、灰密度測(cè)試儀
用于檢測(cè)電力線路中絕緣子的污穢附著情況,可一次測(cè)量絕緣子鹽密度和灰密度,簡(jiǎn)化了絕緣子污穢檢測(cè)的流程,非常適合巡檢現(xiàn)場(chǎng)和實(shí)驗(yàn)室使用。電力線路中絕緣子的污穢程度主要通過鹽密度(esdd)和灰密度的(nsdd)來表征,同時(shí)具備測(cè)量鹽密度和灰密度的功能。內(nèi)置了常用溶液體積、絕緣子型號(hào),方便用戶直接調(diào)用,絕緣子型號(hào)與表面積支持用戶自定義,增加數(shù)據(jù)保存功能,保存十萬組測(cè)試數(shù)據(jù),本機(jī)查看數(shù)據(jù),支持u盤導(dǎo)出數(shù)據(jù),
更新時(shí)間:2026-01-06
SF6氣體綜合測(cè)試儀(集SF6濕度、SF6純度、SF6分解產(chǎn)物測(cè)試于一體)
sf6 綜合測(cè)試儀是集 sf6濕度、sf6純度、sf6 分解產(chǎn)物測(cè)試于一體,將原來要用三臺(tái)儀器才能實(shí)現(xiàn)的功能,集中在一臺(tái)儀器一次現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量,完成三項(xiàng)指標(biāo)檢測(cè),節(jié)省了設(shè)備中的氣體,減少用戶的工作量.采用國(guó)外的傳感器;濕度采用純進(jìn)口高精度濕度傳感器、純度采用帶溫度補(bǔ)償?shù)臒釋?dǎo)傳感器,分解產(chǎn)物采用歐洲進(jìn)口的傳感器。彩色液晶顯示,實(shí)時(shí)顯示各種參數(shù)全程觸控,傻瓜式操作,海量信息存儲(chǔ),內(nèi)置充電電池,交直流兩用。
更新時(shí)間:2026-01-06
交直流分壓器,高壓數(shù)字表
精度高:采用精密高壓薄膜電容和精密高壓玻璃釉電阻,輸入阻抗高,降低了測(cè)試電流,功耗小,提高了儀器的測(cè)量精度和穩(wěn)定性。信號(hào)處理部分,采用高性能op進(jìn)行信號(hào)放大,運(yùn)用雙積分式 ad采樣技術(shù),四位半液晶顯示,最高分辨率達(dá)到0.001kv,是高壓靜電電壓表的更新?lián)Q代產(chǎn)品。操作簡(jiǎn)單:采用撥碼開關(guān)切換高低壓、交直流,方便快捷。四位半液晶直接顯示測(cè)量結(jié)果,簡(jiǎn)單直觀。為現(xiàn)場(chǎng)的檢測(cè)工作帶來極大的便利。
更新時(shí)間:2026-01-06
淼森波信號(hào)引導(dǎo)器、自研技術(shù)、USB2.0 Host測(cè)試必備款、USB2.0測(cè)試?yán)?、淼森波自研設(shè)備、信號(hào)引導(dǎo)器
我們不僅提供這款蘊(yùn)含核心自研技術(shù)的硬件,更提供其完整的s參數(shù)校準(zhǔn)文件,并使其與我們的自動(dòng)化測(cè)試軟件無縫對(duì)接。軟件可自動(dòng)加載校準(zhǔn)數(shù)據(jù),執(zhí)行“去嵌入”處理,呈現(xiàn)最真實(shí)的host發(fā)射機(jī)性能。本方案旨在為研發(fā)、認(rèn)證與生產(chǎn)環(huán)節(jié)建立一個(gè)從“信號(hào)接入”到“報(bào)告生成”都具備最高可信度與可重復(fù)性的“黃準(zhǔn)”測(cè)試流水線,是確保產(chǎn)品性能達(dá)標(biāo)、快速通過認(rèn)證的戰(zhàn)略性投資。
更新時(shí)間:2026-01-06
USB2.0 眼圖測(cè)試模板、抖動(dòng)校準(zhǔn)、時(shí)序校準(zhǔn)、USB2.0 信號(hào)完整性、眼圖模板合規(guī)性、高速接口抖動(dòng)時(shí)序優(yōu)化
ayi-usb2-at是阿儀網(wǎng)推出的高集成度自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái),專為usb2.0眼圖模板、抖動(dòng)及時(shí)序的驗(yàn)證而設(shè)計(jì)。系統(tǒng)采用模塊化硬件與智能軟件,一鍵執(zhí)行全項(xiàng)合規(guī)測(cè)試,自動(dòng)分離抖動(dòng)成分,測(cè)量時(shí)序參數(shù),并生成符合usb-if格式的詳細(xì)診斷報(bào)告,極大提升認(rèn)證效率與問題定位精度。
更新時(shí)間:2026-01-06
USB3.0 接收端、受壓眼圖校準(zhǔn)、眼高恢復(fù)、CTLE 均衡器校準(zhǔn)、損耗模擬、順企網(wǎng)校準(zhǔn)方案、USB-IF 受壓測(cè)試
uat-ec5000是業(yè)界針對(duì)usb3.0接收端受壓眼圖的智能校準(zhǔn)平臺(tái),融合動(dòng)態(tài)基線補(bǔ)償、本底抖動(dòng)剝離、眼圖傾斜校正三大專利技術(shù)。系統(tǒng)通過ai驅(qū)動(dòng)的高精度信號(hào)重構(gòu),在極端壓力下仍可保證眼高測(cè)量誤差<±1%,為汽車電子/工業(yè)級(jí)應(yīng)用提供可靠測(cè)試基準(zhǔn)。
更新時(shí)間:2026-01-06
USB3.0 測(cè)試儀器選型、眼高測(cè)試儀器、時(shí)序測(cè)試設(shè)備、5Gbps 高速接口儀器、示波器選型、USB-IF 認(rèn)證儀器配置
uat-8000是阿儀網(wǎng)推出的專業(yè)級(jí)usb3.0/3.1/3.2信號(hào)完整性測(cè)試平臺(tái)。系統(tǒng)集成了高性能示波器硬件與自動(dòng)化分析軟件,專為測(cè)量眼高、抖動(dòng)、時(shí)序等關(guān)鍵參數(shù)而優(yōu)化,提供從自動(dòng)化合規(guī)性測(cè)試到深度信號(hào)診斷的一站式解決方案,大幅提升研發(fā)驗(yàn)證與認(rèn)證測(cè)試效率。
更新時(shí)間:2026-01-06
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具 泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具,硬件測(cè)試,ddr測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
更新時(shí)間:2026-01-06
以太網(wǎng)SerDes降速、1000M/2.5G/5.0G SerDes測(cè)試、電源完整性、PDN噪聲、驅(qū)動(dòng)器性能、SerDes故障排查、PDN優(yōu)化方案
系統(tǒng)深度融合了多通道高精度同步測(cè)量、電源-信號(hào)頻譜智能關(guān)聯(lián)分析與pdn阻抗在環(huán)測(cè)試三大功能。它能同步捕獲phy芯片供電引腳上的真實(shí)噪聲與發(fā)送信號(hào)的眼圖/抖動(dòng),并通過算法自動(dòng)關(guān)聯(lián)兩者的頻譜特征,一鍵生成因果分析報(bào)告。平臺(tái)還支持在不停機(jī)情況下評(píng)估去耦優(yōu)化效果,是快速因pdn問題導(dǎo)致的發(fā)送質(zhì)量差、鏈路降速等疑難雜癥的工具。
更新時(shí)間:2026-01-06
LPDDR5 存儲(chǔ)器芯片測(cè)試,LPDDR5 眼圖測(cè)試,LPDDR5 時(shí)序抖動(dòng)測(cè)試,JEDEC JESD209-5 合規(guī)測(cè)試,高速存儲(chǔ)器信號(hào)完整性測(cè)試
ats-msi 4000是阿儀網(wǎng)針對(duì)lpddr4及高速存儲(chǔ)器芯片推出的專業(yè)級(jí)信號(hào)完整性測(cè)試平臺(tái)。系統(tǒng)深度融合高精度眼圖分析、皮秒級(jí)時(shí)序測(cè)量與深度抖動(dòng)分解功能,提供從研發(fā)調(diào)試、預(yù)合規(guī)驗(yàn)證到失效分析的完整解決方案。其應(yīng)對(duì)低電壓、高速度的優(yōu)化設(shè)計(jì),特別適合移動(dòng)設(shè)備、汽車電子等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)器接口的嚴(yán)苛驗(yàn)證需求。
更新時(shí)間:2026-01-06
LPDDR4替代驗(yàn)證系統(tǒng) LPDVT-4000
lpdvt-4000是阿儀網(wǎng)專為lpddr4國(guó)產(chǎn)化替代設(shè)計(jì)的性能驗(yàn)證平臺(tái),支持4266mbps高速測(cè)試,提供從基礎(chǔ)功能到可靠性的全流程驗(yàn)證方案,重點(diǎn)解決低電壓、高速度帶來的測(cè)試挑戰(zhàn)。
更新時(shí)間:2026-01-06
MIPI傳輸過程中的信號(hào)質(zhì)量問題
mipi傳輸過程中的信號(hào)質(zhì)量問題mipi是2003年由arm,nokia,st,it等公司成立的個(gè)聯(lián)盟,旨在把手機(jī)內(nèi)部的接口如存儲(chǔ)接口,顯示接口,射頻/基帶接口等標(biāo)準(zhǔn)化,減少兼容性問題并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2026-01-06
MIPI接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試
mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試基于示波器的當(dāng)抖動(dòng)測(cè)量工具在條通道上只提供個(gè)眼圖。在通用測(cè)量中,這些工具只有6-8個(gè)測(cè)量項(xiàng)目。dpojet全面支持所有通道,包括同時(shí)測(cè)量每條通道的眼圖。
更新時(shí)間:2026-01-06

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