硅碳負(fù)極用多孔碳材料比表面積和孔隙結(jié)構(gòu)的表征方法為突破傳統(tǒng)石墨負(fù)極性能瓶頸,硅基負(fù)極憑借4200mah/g 的理論比容量成為關(guān)鍵方向,化學(xué)氣相沉積(cvd)技術(shù)因可實現(xiàn)硅在碳基質(zhì)上均勻沉積、構(gòu)建穩(wěn)定硅碳界面,成為硅碳負(fù)極產(chǎn)業(yè)化核心工藝路線。多孔碳材料作為 cvd 硅碳負(fù)極的 “骨架核心”,其比表面積與孔隙結(jié)構(gòu)等性能直接影響復(fù)合材料電化學(xué)性能和產(chǎn)業(yè)化可行性。
更新時間:2026-01-05