其他產(chǎn)品及廠家

液體光學(xué)顆粒度儀
寬廣的測(cè)試范圍,可測(cè)試 0.1~0.5um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-05-10
液體粒子計(jì)數(shù)器S系列
?liquilaz?光學(xué)粒子計(jì)數(shù)器是在各種和0.2 ?m一樣低的靈敏度下測(cè)體積的粒子計(jì)數(shù)器?她們?yōu)榇蠖鄶?shù)工藝化學(xué)品提供高精密分析,包含氫氟酸和高達(dá)306°f (150 °c)的熱腐蝕劑?可測(cè)定體積的粒子計(jì)數(shù)器通過(guò)監(jiān)測(cè)100%采樣體積(多達(dá)80 毫升/分)提供最高的精確可能,所以利用短時(shí)采樣間隔而不會(huì)降低統(tǒng)計(jì)顯著性
更新時(shí)間:2025-05-10
液體粒子計(jì)數(shù)器S系列
iquilaz?光學(xué)粒子計(jì)數(shù)器是在各種和0.2 ?m一樣低的靈敏度下測(cè)體積的粒子計(jì)數(shù)器?她們?yōu)榇蠖鄶?shù)工藝化學(xué)品提供高精密分析,包含氫氟酸和高達(dá)306°f (150 °c)的熱腐蝕劑?可測(cè)定體積的粒子計(jì)數(shù)器通過(guò)監(jiān)測(cè)100%采樣體積(多達(dá)80 毫升/分)提供最高的精確可能,所以利用短時(shí)采樣間隔而不會(huì)降低統(tǒng)計(jì)顯著性
更新時(shí)間:2025-05-10
MOSFET參數(shù)測(cè)試設(shè)備
mosfet參數(shù)測(cè)試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(包括igss / bvr / vds(sat) / idss / vgsth / vf / rds(on));動(dòng)態(tài)參數(shù)(開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)
更新時(shí)間:2025-05-10
雪崩能量測(cè)試臺(tái)
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介雪崩能量測(cè)試臺(tái),是門(mén)設(shè)計(jì)測(cè)試igbt、二管、mos管測(cè)試設(shè)備,對(duì)于那些在應(yīng)用過(guò)程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用,就要考慮器件的雪崩能量,電壓的尖峰所集中的
更新時(shí)間:2025-05-10
IGBT7KV/20000A動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
一. 功能簡(jiǎn)介全動(dòng)態(tài)測(cè)試的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了
更新時(shí)間:2025-05-10
IGBT9KA/8KV靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的用測(cè)試設(shè)備。 該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成:1)門(mén)觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門(mén)電阻8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)9)合格證標(biāo)簽打印10)夾具單元;包含平板夾具和模塊夾具
更新時(shí)間:2025-05-10
10萬(wàn)安浪涌電流測(cè)試儀
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介浪涌電流測(cè)試儀,是二管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備,該設(shè)備具有如下特點(diǎn):1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用自動(dòng)控制,測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果,并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為excel文件進(jìn)行處理。3、該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成: a、浪涌測(cè)試單元 b、阻斷參數(shù)測(cè)試單元 c、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-05-10
晶閘管阻斷特性測(cè)試儀
阻斷特性測(cè)試儀的測(cè)試原理:符合國(guó)際及行業(yè)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),可對(duì)大功率半導(dǎo)體器件(含晶閘管)進(jìn)行阻斷特性的測(cè)試。測(cè)試電壓和漏電流值采用實(shí)時(shí)數(shù)字顯示,便于數(shù)據(jù)的觀察和記錄。采用手動(dòng)調(diào)壓器加壓模式,可實(shí)
更新時(shí)間:2025-05-10
自動(dòng)熱穩(wěn)態(tài)壓力夾具
本公司生產(chǎn)的實(shí)用新型公開(kāi)了一種自動(dòng)壓力機(jī)夾具,包括水平設(shè)置在壓力機(jī)上的多對(duì)夾臂,在所述每對(duì)夾臂相對(duì)的夾持面上均設(shè)置有橡膠墊.本實(shí)用新型優(yōu)點(diǎn)在于將夾臂的夾持面上設(shè)置有橡膠墊,這樣當(dāng)夾具夾持耐火磚時(shí)由于有橡膠墊的緩沖,不僅能夠方便的夾取磚體,而且對(duì)耐火磚起到一定的保護(hù)作用,有效防止了耐火磚夾裂或夾破,大大減少了耐火磚的破損率.
更新時(shí)間:2025-05-10
模塊高溫阻斷試驗(yàn)設(shè)備
產(chǎn)品介紹交流阻斷(或反偏)耐久性試驗(yàn)是在一定溫度下,對(duì)半導(dǎo)體器件施加阻斷(或反偏)電壓,按照規(guī)定的時(shí)間,從而對(duì)器件進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)和耐久性評(píng)估的一種主要試驗(yàn)方法。 一般情況下
更新時(shí)間:2025-05-10
晶閘管 整流二管靜態(tài)參數(shù)試驗(yàn)平臺(tái)
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的用測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成:1)門(mén)觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門(mén)電阻8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)9)合格證標(biāo)簽打印10)夾具單元;包含平板夾具和模塊夾具
更新時(shí)間:2025-05-10
二管正向浪涌電流測(cè)試儀
一、產(chǎn)品介紹浪涌電流測(cè)試儀,是二管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備,該設(shè)備具有如下特點(diǎn):1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用自動(dòng)控制,測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果,并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為excel文件進(jìn)行處理。3、該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成: a、浪涌測(cè)試單元 b、阻斷參數(shù)測(cè)試單元 c、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-05-10
華測(cè)高壓驅(qū)動(dòng)電源匹配高壓放大器空間電荷測(cè)量系統(tǒng)
華測(cè)ha系列高壓電源是高性能機(jī)箱式高壓電源,hchv系列具有完善的保護(hù)系統(tǒng)?蛇b控或本地控制,面板有電壓、電流顯示,高壓輸入端過(guò)壓、過(guò)流、短路保護(hù)、拉弧、過(guò)溫保護(hù)和安全鎖等功能。寬范圍調(diào)整和靈活的多項(xiàng)可選功能。hchv系列是種高性能、可 靠性、高品質(zhì)的直流高壓電源。更適合材料電學(xué)高壓試驗(yàn)與材料檢測(cè)。
更新時(shí)間:2025-05-09
華測(cè)儀器鐵電分析儀鐵電測(cè)試儀置〈2024升級(jí)推薦〉
huace fe系列鐵電測(cè)試系統(tǒng),有著寬頻率響應(yīng)范圍及寬測(cè)試電壓范圍,在±500v內(nèi)置電壓下,電滯回線測(cè)試頻率可高達(dá)500khz;此系統(tǒng)包含huacepro基本鐵電管理測(cè)試軟件。此外還可外部擴(kuò)展電壓到4kv、10kv、20kv,huace fe主機(jī)在不改變樣品連接的情況下可執(zhí)行電滯回線,脈沖,漏電流,iv、cv、擊穿測(cè)試,也可加載選件實(shí)現(xiàn)壓電、熱釋電、tsdc和電卡、阻抗分析、電阻測(cè)量等特性測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-09
華測(cè)電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)
huace-dcs10kv電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)主要用于研究介電儲(chǔ)能材料高電壓放電性能。目常規(guī)的方法是通過(guò)電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)的能量密度,測(cè)試時(shí),樣品的電荷是放回到高壓源上,而不是釋放到負(fù)載上,通過(guò)電滯回線測(cè)得的儲(chǔ)能密度一般會(huì)大于樣品實(shí)際釋放的
更新時(shí)間:2025-05-09
華測(cè)超高速鐵電材料高壓放大器/壓電驅(qū)動(dòng)器
華測(cè)超高速鐵電材料高壓放大器系列,是以我公司關(guān)于高電壓的多年經(jīng)驗(yàn)和經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)而完成的,架式高速高電壓的運(yùn)算放大器電源。zui高100khz的高速響應(yīng),可以在與輸入波形成比例的正弦波、三角波、鋸波和矩形波中進(jìn)行高電壓輸出。從輸出電壓600v到20kv共19機(jī)種。
更新時(shí)間:2025-05-09
華測(cè)電荷量表 匹配不同規(guī)格法拉第筒
電荷量表結(jié)合了華測(cè)高靈敏度電壓、電流測(cè)量?jī)x器的技術(shù)優(yōu)勢(shì)以及更快的速度和更高的耐用性。匹配不同規(guī)格法拉第筒。
更新時(shí)間:2025-05-09
華測(cè) 絕緣材料電阻評(píng)價(jià)平臺(tái)
華測(cè)絕緣材料電阻評(píng)價(jià)平臺(tái),針對(duì)絕緣材料電阻評(píng)價(jià)平臺(tái)做了安全設(shè)計(jì),測(cè)試過(guò)程中在過(guò)電壓、過(guò)電流、超溫等異常情況下以保證測(cè)試過(guò)程的安全;資料保存機(jī)制,當(dāng)遇到電腦異;蛩矔r(shí)斷電時(shí),可將資料保存于控制器中,不丟失試驗(yàn)數(shù)據(jù),設(shè)備重新開(kāi)啟后可恢復(fù)原有試驗(yàn)數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-05-09
半導(dǎo)體封裝材料高溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)/絕緣材料電阻評(píng)價(jià)平臺(tái)
絕緣材料電阻評(píng)價(jià)平臺(tái)運(yùn)用三電極法設(shè)計(jì)原理測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合gb/t 31838.2-2019、gb/t31838.7-2021標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),并參考美國(guó)astm標(biāo)準(zhǔn)(d257、d1829)。利用獨(dú)特的電阻測(cè)試系統(tǒng),重復(fù)性與穩(wěn)定性更好,提升了夾具的抗干擾能力,同時(shí)大大提高精確度,可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)性能研究等用途。
更新時(shí)間:2025-05-09
長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)
一、產(chǎn)品概述面對(duì)材料越來(lái)越小型輕量及高密度封裝,因結(jié)露、吸濕、電場(chǎng)環(huán)境等因素造成的絕緣不良現(xiàn)象暨離子遷移現(xiàn)象日益突出,長(zhǎng)期電化學(xué)腐蝕平臺(tái),可高精度連續(xù)試驗(yàn),gao效簡(jiǎn)便評(píng)估因老化腐蝕現(xiàn)象引起的
更新時(shí)間:2025-05-09
華測(cè) 鐵電分析儀 Huace FE3000 鐵電性能測(cè)試 材料電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)
huace fe-3000鐵電分析儀有著寬頻率響應(yīng)范圍及寬測(cè)試電壓范圍,該系統(tǒng)可廣泛地應(yīng)用于如各類鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、塊體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。采用模塊化設(shè)計(jì)的huace fe-3000具有強(qiáng)大擴(kuò)展性。在鐵電測(cè)試領(lǐng)域其高測(cè)試精度能力,在±200v的內(nèi)置電壓下,電滯回線測(cè)試頻率可高達(dá)270khz。
更新時(shí)間:2025-05-09
工頻介電電壓擊穿試驗(yàn)儀 HCDJC-100KV 固體絕緣材料擊穿強(qiáng)度測(cè)試
hcdjc系列電壓擊穿試驗(yàn)儀采用計(jì)算機(jī)控制,通過(guò)人機(jī)對(duì)話方式,完成對(duì)絕緣介質(zhì)的工頻電壓擊穿,可對(duì)試驗(yàn)過(guò)程中的各種數(shù)據(jù)進(jìn)行快速準(zhǔn)確的采集處理,支持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)、顯示、打印一體化功能。
更新時(shí)間:2025-05-09
硅橡膠材料電壓擊穿試驗(yàn)儀 試驗(yàn)電壓100KV
hcdjc系列電壓擊穿試驗(yàn)儀采用計(jì)算機(jī)控制,通過(guò)人機(jī)對(duì)話方式,完成對(duì)絕緣介質(zhì)的工頻電壓擊穿,可對(duì)試驗(yàn)過(guò)程中的各種數(shù)據(jù)進(jìn)行快速準(zhǔn)確的采集處理,支持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)、顯示、打印一體化功能。
更新時(shí)間:2025-05-09
華測(cè)儀器 空間電荷測(cè)量系統(tǒng) 聚合物絕緣材料空間電荷分布積累
電聲脈沖法是一種無(wú)損的空間電荷測(cè)量技術(shù)。它用于描述聚合物絕緣材料內(nèi)部的空間電荷分布、積累及其整體行為。空間電荷測(cè)量系統(tǒng)正在成為評(píng)估直流絕緣應(yīng)用(尤其是高壓電纜)中的聚合物材料測(cè)試時(shí)不錯(cuò)的技術(shù)。實(shí)際上,經(jīng)過(guò)充分的評(píng)估,空間電荷的存在是導(dǎo)致高壓直流聚合物電纜過(guò)早失效的主要原因,而且也是防止此類電纜快速劣化的主要原因。
更新時(shí)間:2025-05-09
華測(cè) HCQD-4 絕緣材料電阻評(píng)價(jià)平臺(tái) 實(shí)驗(yàn)室用 可定制
面對(duì)材料因結(jié)露、吸濕、電場(chǎng)環(huán)境等因素造成的絕緣不佳現(xiàn)象暨離子遷移現(xiàn)象,設(shè)備可有效簡(jiǎn)便評(píng)估因老化腐蝕現(xiàn)象引起的壽命及絕緣電阻劣化相關(guān)問(wèn)題。試驗(yàn)系統(tǒng)能夠模擬各式工業(yè)制品、零部件以及原材料在實(shí)際生產(chǎn)、使用、儲(chǔ)存和運(yùn)輸過(guò)程中的高壓伴隨著低溫、高溫、潮濕、干燥、高低溫濕熱交變、溫度變化速度快、溫度循環(huán)等環(huán)境因素中受的影響,以測(cè)試其功能、性能及壽命的完整性和牢靠性。
更新時(shí)間:2025-05-09
 華測(cè) 高分子壓電材料高溫壓電系數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 測(cè)試頻率30-140Hz
hcyd高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀采用fpga數(shù)字技術(shù)為激振器提供穩(wěn)定的測(cè)試頻率,配合聲學(xué)與振動(dòng)公司b&k生產(chǎn)的激振器作為振源,相對(duì)傳統(tǒng)的d33測(cè)量?jī)x測(cè)量精度更高,測(cè)量量程更寬,可靠性更高,操作更簡(jiǎn)單。儀器可以直接分析得出樣品壓電常數(shù)d33隨溫度變化的壓電溫譜圖,可廣泛用于壓電材料(壓電陶瓷、高分子)、鐵電材料以及相關(guān)器件性能。
更新時(shí)間:2025-05-09
華測(cè) HCYD 高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀 測(cè)量鐵電材料D33測(cè)試
hcyd高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀采用fpga數(shù)字技術(shù)為激振器提供穩(wěn)定的測(cè)試頻率,配合聲學(xué)與振動(dòng)公司b&k生產(chǎn)的激振器作為振源,相對(duì)傳統(tǒng)的d33測(cè)量?jī)x測(cè)量精度更高,測(cè)量量程更寬,可靠性更高,操作更簡(jiǎn)單。儀器可以直接分析得出樣品壓電常數(shù)d33隨溫度變化的壓電溫譜圖,可廣泛用于壓電材料(壓電陶瓷、高分子)、鐵電材料以及相關(guān)器件性能。
更新時(shí)間:2025-05-09
高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀 華測(cè) HCYD 壓電材料高溫壓電常數(shù)測(cè)試
hcyd高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀采用fpga數(shù)字技術(shù)為激振器提供穩(wěn)定的測(cè)試頻率,配合聲學(xué)與振動(dòng)公司b&k生產(chǎn)的激振器作為振源,相對(duì)傳統(tǒng)的d33測(cè)量?jī)x測(cè)量精度更高,測(cè)量量程更寬,可靠性更高,操作更簡(jiǎn)單。儀器可以直接分析得出樣品壓電常數(shù)d33隨溫度變化的壓電溫譜圖,可廣泛用于壓電材料(壓電陶瓷、高分子)、鐵電材料以及相關(guān)器件性能。
更新時(shí)間:2025-05-09
 華測(cè)熱釋電系數(shù)測(cè)試儀 測(cè)量高分子材料熱釋電圖譜
1.鐵電的評(píng)價(jià)與測(cè)試2.壓電材料的評(píng)價(jià)與測(cè)試3.壓電陶瓷的評(píng)價(jià)與測(cè)試4.高分子的評(píng)價(jià)與測(cè)試5.相關(guān)器件性能的評(píng)價(jià)與測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-09
華測(cè) Huace 熱釋電系數(shù)測(cè)試儀 測(cè)量壓電陶瓷材料的熱釋電系數(shù)
1.鐵電的評(píng)價(jià)與測(cè)試2.壓電材料的評(píng)價(jià)與測(cè)試3.壓電陶瓷的評(píng)價(jià)與測(cè)試4.高分子的評(píng)價(jià)與測(cè)試5.相關(guān)器件性能的評(píng)價(jià)與測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-09
華測(cè) Huace-650T 功能材料電學(xué)測(cè)試高低溫冷熱臺(tái) 溫度范圍-185~600℃
huace650t高低溫冷熱臺(tái)(可定制)由華測(cè)儀器多位工程師多年開(kāi)發(fā),冷熱臺(tái)可配合阻抗分析儀、高阻計(jì)、電化學(xué)工作站、數(shù)字原表設(shè)備進(jìn)行功能材料電學(xué)的相關(guān)測(cè)試,采用直接聯(lián)接測(cè)試儀表以減少測(cè)試導(dǎo)線的影響,同時(shí)電極加熱采用直流電極加熱方式,減少電網(wǎng)諧波對(duì)測(cè)量?jī)x表的干擾。
更新時(shí)間:2025-05-09
華測(cè)儀器 HC-RD-1100 塞貝克系數(shù)電阻率測(cè)試儀 測(cè)試鋰離子電池電極材料
華測(cè)儀器的hc-rd-1100可以同時(shí)測(cè)定樣品在rt至1500°c溫度范圍內(nèi)的塞貝克系數(shù)和電阻率。熱功率、熱電勢(shì)、或塞貝克系數(shù)描述的都是材料在一定溫差條件下產(chǎn)生感應(yīng)熱電電壓的大小,單位是v/k。
更新時(shí)間:2025-05-09
華測(cè)儀器 HC-RD-1100 塞貝克系數(shù)電阻率測(cè)試儀 熱電材料研究用
華測(cè)儀器的hc-rd-1100可以同時(shí)測(cè)定樣品在rt至1500°c溫度范圍內(nèi)的塞貝克系數(shù)和電阻率。熱功率、熱電勢(shì)、或塞貝克系數(shù)描述的都是材料在一定溫差條件下產(chǎn)生感應(yīng)熱電電壓的大小,單位是v/k。
更新時(shí)間:2025-05-09
華測(cè)儀器 HC-RD-1100 塞貝克系數(shù)電阻率測(cè)試儀 靜態(tài)直流法電阻率四端法
華測(cè)儀器的hc-rd-1100可以同時(shí)測(cè)定樣品在rt至1500°c溫度范圍內(nèi)的塞貝克系數(shù)和電阻率。熱功率、熱電勢(shì)、或塞貝克系數(shù)描述的都是材料在一定溫差條件下產(chǎn)生感應(yīng)熱電電壓的大小,單位是v/k。
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HMDS氣相成底膜烘箱  真空HMDS氣相烘箱
hmds氣相成底膜烘箱 真空hmds氣相烘箱應(yīng)用硅片、磷化銦lnp、砷化鎵gaas、鈮酸鋰linbo?、硫化鋅zns、掩膜版、玻璃、石英片、藍(lán)寶石、晶圓、碳化硅等第三代、第四代半導(dǎo)體材料等。
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智能型無(wú)塵無(wú)氧烘箱  高溫氮?dú)鉄o(wú)氧PI烤箱  PI固化爐
智能型無(wú)塵無(wú)氧烘箱 高溫氮?dú)鉄o(wú)氧pi烤箱 pi固化爐電子膠體固化:銀膠/bcb膠/光刻膠高溫固化(300-450℃)晶圓加工:退火處理、pi膜烘烤(±1℃波動(dòng)精度)陶瓷燒結(jié):電子陶瓷材料無(wú)塵烘干(class100潔凈環(huán)境
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硅烷沉積系統(tǒng) 硅烷氣相沉積設(shè)備  真空硅烷涂膠機(jī)
硅烷沉積系統(tǒng) 硅烷氣相沉積設(shè)備 真空硅烷涂膠機(jī)是一種用于硅烷(siih?)作為前驅(qū)體的薄膜沉積設(shè)備,主要用于半導(dǎo)體、納米壓印脫模工藝、光伏(太陽(yáng)能電池)、顯示面板、玻璃、陶瓷納米材料等領(lǐng)域的材料制備。硅烷(sih?)因其高反應(yīng)性和低溫沉積特性,成為沉積非晶硅(a-si)、微晶硅(μc-si)、氮化硅(sin?)和氧化硅(sio?)等薄膜的關(guān)鍵化學(xué)品。
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硅烷沉積設(shè)備 抗粘劑蒸鍍系統(tǒng) 納米壓印抗粘設(shè)備
硅烷沉積設(shè)備 抗粘劑蒸鍍系統(tǒng) 納米壓印抗粘設(shè)備通過(guò)表面修飾的模板,可以大大降低模板與壓印聚合物層之間的相互作用力,在納米壓印過(guò)程中實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)較好的轉(zhuǎn)移,復(fù)制.
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大型HMDS真空烘箱  4門(mén)HMDS真空烤箱 HMDS硅烷蒸鍍機(jī)定制
大型hmds真空烘箱 4門(mén)hmds真空烤箱 hmds硅烷蒸鍍機(jī)定制是半導(dǎo)體光刻工藝中的關(guān)鍵設(shè)備,主要用于基片表面預(yù)處理,通過(guò)六甲基二硅氮烷(hmds)涂布增強(qiáng)光刻膠與基片的黏附性
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桌上型無(wú)氧烘箱 實(shí)驗(yàn)高溫?zé)o氧固化爐 真空無(wú)氧烤箱
桌上型無(wú)氧烘箱 實(shí)驗(yàn)高溫?zé)o氧固化爐 真空無(wú)氧烤箱專為高精度電子元件、ic/芯片、pi/bcb/cpi/bpo等膠水等材料設(shè)計(jì)的緊湊型固化設(shè)備,結(jié)合無(wú)氧環(huán)境與高效加熱技術(shù),確保材料在固化過(guò)程中避免氧化。
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桌上型HMDS烘箱,小型HMDS真空烤箱
桌上型hmds烘箱,小型hmds真空烤箱采用hmds涂布方法改變晶圓表面的親水性,從而增大晶圓表面的接觸角),增強(qiáng)光刻膠和晶圓的粘附力。
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盈可潤(rùn)蘇州一代理商(increasing)
公司生產(chǎn)的行星減速機(jī)產(chǎn)品齊全,主導(dǎo)產(chǎn)品有pl、pf、ps、ib、ie、pn、id、ad、ibr等系列。廣泛應(yīng)用于自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)、工業(yè)機(jī)器人航空航天、數(shù)控機(jī)床、冶金礦山、啤酒飲料、煙草輕工、環(huán)保工程、倉(cāng)儲(chǔ)物流、塑料機(jī)械、起重運(yùn)輸、立體停車、汽車制造、紡織、食品陶瓷等域。
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TL-2000激光開(kāi)封機(jī)
tl系列激光開(kāi)封機(jī)通過(guò)激光能量的調(diào)節(jié)控制,去除封裝電子器件的塑膠層。用于觀察電子器件內(nèi)部焊線偏移,焊線交叉短路,倒裝焊焊球虛焊,倒裝焊焊球短路,焊線斷裂,焊線脫離等封裝缺陷。
更新時(shí)間:2025-05-09
XP-65 高粘度液體光學(xué)顆粒度儀
高粘度樣品用液中粒子傳感器xp-65/ks-42c(改)無(wú)需稀釋即可測(cè)量原液(可達(dá)6000 cp)。支持在線和離線測(cè)量。廣泛的可測(cè)粒徑范圍xp-65:0.2μm~1.0μm,ks-42c(改):0.5μm~20μm
更新時(shí)間:2025-05-09
EDA 407 水汽分析儀
eda 407專為光電子器件的質(zhì)量控制而設(shè)計(jì)■ 從密封封裝中進(jìn)行精確氣體分析■ 氣體成分的直觀分析■ 簡(jiǎn)明易用的軟件套件■ 全自動(dòng)化的氣體進(jìn)樣系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-05-09
GIA 522氣泡分析系統(tǒng)
gia 522氣泡分析系統(tǒng),用于分析玻璃、陶瓷、礦物或小型密封電子元件中的小到極小氣泡夾雜物。
更新時(shí)間:2025-05-09
UV-1 紫外線臭氧清洗機(jī)
日本samco紫外臭氧清洗機(jī) uv-1, 是一款緊湊型臺(tái)式紫外線臭氧清洗機(jī)。該系統(tǒng)將紫外線照射、臭氧和平臺(tái)加熱獨(dú)特地結(jié)合在一起,溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體(gan、gaas、inp、sic)、藍(lán)寶石、陶瓷等各種基材上的有機(jī)物。
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