其他產(chǎn)品及廠家

OEM 通用能量傳感器
oem 通用能量傳感器這些傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域是激光器內(nèi)部能量測量。同軸傳感器靈敏度高,可在較寬的波長范圍內(nèi)使用。傳感器直徑在 4 至 34 mm之間。max. 重復(fù)率取決于傳感器直徑和所用的負(fù)載電阻。用作激光監(jiān)測器的熱釋電傳感器,可安裝在激光器內(nèi)部或其獨立外殼中。
更新時間:2025-09-29
中紅外MIR光電探測器 2.0-3.8um (TO-18 PD內(nèi)置前置放大器 光敏直徑0.3mm)
中紅外mir光電探測器 2.0-3.8um (to-18 pd內(nèi)置前置放大器 光敏直徑0.3mm)led microsensor nt 很高興地宣布推出具有特殊玻璃覆蓋層的新型光電二極管,具有更高的響應(yīng)度(高達(dá) 3-5 倍)。這允許在不同的氣體、液體和固體傳感和分析應(yīng)用中獲得更高的精度。連同其他優(yōu)勢(緊湊的尺寸、高響應(yīng)速度),我們的光電二極管成為傳感器和分析儀的更令人印象深刻的元件基礎(chǔ)。
更新時間:2025-09-29
D2250-2M 超快窄帶單波長紅外探測器 2.2-5.0um
d2250-2m 超快窄帶單波長紅外探測器 2.2-5.0um中紅外探測器面臨的max挑戰(zhàn)通常是大量的固有噪聲,并且它們會從周圍環(huán)境中收集大量噪聲。我們的單波長檢測器通過使用窄帶和高效的上轉(zhuǎn)換技術(shù)以及低噪聲硅基檢測器來緩解這兩個限制。
更新時間:2025-09-29
400-1100nm Si雪崩平衡探測器 2GHz
400-1100nm si雪崩平衡探測器 2ghzsi雪崩平衡探測模塊集成了低噪聲apd探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 apd 溫度補償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響;apd溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。
更新時間:2025-09-29
Si雪崩單元探測器 2GHz 400-1100nm FC/APC
si雪崩單元探測器 2ghz 400-1100nm fc/apcsi雪崩單元探測模塊集成了低噪聲apd探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、apd溫度補償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響;apd溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點
更新時間:2025-09-29
光學(xué)斬波器
光學(xué)斬波器斬波器用于調(diào)制光輻射,與熱釋電探測器配合使用,可快速且高靈敏度地測量光功率,尤其是在太赫茲波段?梢酝ㄟ^鍵盤或usb端口設(shè)置目標(biāo)頻率。實際頻率由大型字母數(shù)字液晶顯示屏顯示,并發(fā)送到usb端口。斬波器會自動檢測光盤的槽數(shù),以計算頻率與電機轉(zhuǎn)速之間的正確相關(guān)性。
更新時間:2025-09-29
OEM 專用電源模塊
oem 專用電源模塊專用電源模塊可處理所有熱電堆功率測量頭的信號。輸出信號將通過 usb 傳輸至連接的 pc。設(shè)備通過 usb 端口供電。專用電源模塊使用 ascii 碼與 pc 通信,因此可輕松集成到現(xiàn)有軟件程序或系統(tǒng)中。用于熱電堆功率測量頭的 usb 接口。
更新時間:2025-09-29
能量探測器系列 PEM USB
能量探測器系列 pem usbpem45kusb 與 pem45usb 熱釋電探測頭集成高可靠性熱釋電傳感器及帶 usb 接口的讀出電路。可通過 bnc 接口連接示波器,或利用 usb 端口接入計算機。在 usb 模式下,bnc 接口作為外部觸發(fā)輸入端。輸出信號通過 usb 傳輸至連接的計算機,設(shè)備由 usb 端口供電。
更新時間:2025-09-29
Si雪崩單元探測器 100MHz 400-1100nm FC/APC
si雪崩單元探測器 100mhz 400-1100nm fc/apcsi雪崩單元探測模塊集成了低噪聲apd探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、apd溫度補償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響;apd溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點
更新時間:2025-09-29
熱釋電能量探測器 PEM HiRep
熱釋電能量探測器 pem hirep這些傳感器采用薄金屬(mc)或黑色吸收(bc)涂層,可加快向傳感元件的熱傳遞,z高重復(fù)率可達(dá) 5000 次 / 秒以上。mc 型傳感器的光譜特性在可見光(vis)和近紅外(nir)區(qū)域表現(xiàn)平坦,但對于較長波長需考慮其吸收特性
更新時間:2025-09-29
ARTCAM-993SWIR-TEC  USB3.0 輸出近紅外(InGaAs)相機
artcam-993swir-tec usb3.0 輸出近紅外(ingaas)相機該產(chǎn)品采用了在包括可見光區(qū)域在內(nèi)的 400~1700nm 近紅外區(qū)域具有高靈敏度ingaa圖像傳感器。能夠?qū)⑷搜垡约捌胀?ccd/cmos 相機難以拍攝的物體可視化。作為一款 ingaas 傳感器,其具備高分辨率,可達(dá) 2048×1536 像素,且能夠以z高 93 幀 / 秒(fps)的速率進(jìn)行圖像采集。
更新時間:2025-09-29
400-1100nm放大型固定增益硅光電探測器
400-1100nm放大型固定增益硅光電探測器銦鎵砷雪崩光電探測器(apd)設(shè)計用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測器更強的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外,還提供具有可變增益(即m因子)和/或溫度補償?shù)陌姹尽?/div> 更新時間:2025-09-29
寬帶吸收涂層熱釋電探測器
寬帶吸收涂層熱釋電探測器探測器表面鍍有黑色吸光涂層,該涂層在185納米至25微米波長范圍內(nèi)具有近乎恒定的吸收率。本系列探測器的顯著優(yōu)勢在于其較高的靈敏度特性——無需外接放大器即可實現(xiàn)μj級激光脈沖測量,并具備的抗干擾能力。
更新時間:2025-09-29
OEM 功率計
oem 功率計這些探測器元件提供不同的功率范圍。外殼提供大量鉆孔,用于安裝和組合其他光學(xué)元件,例如分束器、擴散片或光纖適配器。此外,我們還提供帶模擬輸出的前置放大器模塊,可將功率直接存儲到您的應(yīng)用中。如需數(shù)字顯示,則可選配oem 專用電源模塊。多種尺寸和配置?蛇x配電動裝置。結(jié)構(gòu)緊湊,多種組裝方式。
更新時間:2025-09-29
MCM 100  模塊化OEM能量測量系統(tǒng)
mcm 100 模塊化oem能量測量系統(tǒng)emk 系列 oem 模塊可幫助激光制造商將 peo 系列傳感器簡單且經(jīng)濟高效地集成到其激光系統(tǒng)中,無需投入大量開發(fā)工作。emk100 基本型號為每個激光脈沖提供相應(yīng)的模擬電壓,可通過激光控制單元輕松讀取。額外的電源、測量和觸發(fā)信號連接觸點使模塊可插入其自身的電路板,從而減少所需的布線數(shù)量。
更新時間:2025-09-29
900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級TEC冷卻 Φ2mm
900-2700nm ingaas光電二極管 兩級tec冷卻 φ2mmgestin-2te-to8系列單元ingaas探測器主要由p-i-n結(jié)構(gòu)ingaas光敏芯片、過渡電極板、溫度傳感器和兩級熱電冷卻器(2te)組成,采用to封裝形式。本用戶手冊僅介紹產(chǎn)品系列。
更新時間:2025-09-29
能量探測器系列 PEM USB
能量探測器系列 pem usbpem45kusb 與 pem45usb 熱釋電探測頭集成高可靠性熱釋電傳感器及帶 usb 接口的讀出電路。可通過 bnc 接口連接示波器,或利用 usb 端口接入計算機。在 usb 模式下,bnc 接口作為外部觸發(fā)輸入端。輸出信號通過 usb 傳輸至連接的計算機,設(shè)備由 usb 端口供電
更新時間:2025-09-29
能量探測器系列 PEM HP 型
能量探測器系列 pem hp 型與本公司的 pem standard 系列探測器不同,本系列探測器專為更高的平均功率密度和更高的平均功率應(yīng)用場景而設(shè)計。在吸收涂層方面,我們采用經(jīng)實踐驗證的黑色涂層,該涂層在寬波長范圍內(nèi)具備很高且平坦的吸收特性 。
更新時間:2025-09-29
銦鎵砷 InGaAs 微弱光相干接收模塊 800-1700nm DC-100M
銦鎵砷 ingaas 微弱光相干接收模塊 800-1700nm dc-100m筱曉光子針對光學(xué)相干檢測應(yīng)用研發(fā)了高速低噪聲模擬相干接收模塊。該svdc power coherent receiver module模塊內(nèi)部集成了高速低噪聲模擬光電平衡探測器以及高品質(zhì)光纖耦合器。制作過程對耦合器分光比以及長度進(jìn)行嚴(yán)格控制,從而進(jìn)一步提高共模抑制比。
更新時間:2025-09-29
600-900nm 低雙折射旋轉(zhuǎn)光纖
600-900nm 低雙折射旋轉(zhuǎn)光纖我們的橢圓芯pme1300-10光纖提供了高偏振消光和對彎曲和扭轉(zhuǎn)應(yīng)力不敏感。與傳統(tǒng)的pm光纖不同,橢圓波導(dǎo)的雙折射具有較低的熱依賴性(比panda低10倍)。
更新時間:2025-09-29
能量探測器系列PEM K 型
能量探測器系列pem k 型該探測器的主要應(yīng)用場景為高功率密度脈沖激光(準(zhǔn)分子激光、co?-tea 激光、nd-yag 激光)。由于其具有高損傷閾值、短時間常數(shù)、較高靈敏度和大孔徑特性,我們提供的這款傳感器可廣泛適用于多種應(yīng)用場景。
更新時間:2025-09-29
能量探測器系列PEM K 型
能量探測器系列pem k 型該探測器的主要應(yīng)用場景為高功率密度脈沖激光(準(zhǔn)分子激光、co?-tea 激光、nd-yag 激光)。由于其具有高損傷閾值、短時間常數(shù)、較高靈敏度和大孔徑特性,我們提供的這款傳感器可廣泛適用于多種應(yīng)用場景。
更新時間:2025-09-29
寬帶吸收涂層熱釋電探測器
寬帶吸收涂層熱釋電探測器探測器表面鍍有黑色吸光涂層,該涂層在185納米至25微米波長范圍內(nèi)具有近乎恒定的吸收率。本系列探測器的顯著優(yōu)勢在于其較高的靈敏度特性——無需外接放大器即可實現(xiàn)μj級激光脈沖測量,并具備的抗干擾能力。
更新時間:2025-09-29
帶光浸式光伏多結(jié)探測器的MCT通用紅外檢測模塊 2.0–12.0?m DC–100 MHz
帶光浸式光伏多結(jié)探測器的mct通用紅外檢測模塊 2.0–12.0?m dc–100 mhzum-i-10.6是一款通用的一體化紅外檢測模塊。這是一款基于碲鎘汞異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光伏探測器,在緊湊的外殼中集成了跨阻、直流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻控制器。
更新時間:2025-09-29
1300-1600nm 低雙折射旋轉(zhuǎn)光纖
1300-1600nm 低雙折射旋轉(zhuǎn)光纖我們的橢圓芯pme1300-10光纖提供了高偏振消光和對彎曲和扭轉(zhuǎn)應(yīng)力不敏感。與傳統(tǒng)的pm光纖不同,橢圓波導(dǎo)的雙折射具有較低的熱依賴性(比panda低10倍)。
更新時間:2025-09-29
900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級TEC冷卻 Φ0.3mm
900-2700nm ingaas光電二極管 兩級tec冷卻 φ0.3mmgestin-2te-to8系列單元ingaas探測器主要由p-i-n結(jié)構(gòu)ingaas光敏芯片、過渡電極板、溫度傳感器和兩級熱電冷卻器(2te)組成,采用to封裝形式。本用戶手冊僅介紹產(chǎn)品系列。
更新時間:2025-09-29
能量探測器系列 PEM HP 型
能量探測器系列 pem hp 型與本公司的 pem standard 系列探測器不同,本系列探測器專為更高的平均功率密度和更高的平均功率應(yīng)用場景而設(shè)計。在吸收涂層方面,我們采用經(jīng)實踐驗證的黑色涂層,該涂層在寬波長范圍內(nèi)具備很高且平坦的吸收特性 。
更新時間:2025-09-29
3-12um 超高速MCT紅外光伏探測模塊(1GHz)
3-12um 超高速mct紅外光伏探測模塊(1ghz)uhsm-10.6是超高速一體化紅外檢測模塊。它是基于碲鎘汞異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光伏探測器,在緊湊的外殼中集成了跨阻、交流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻器控制器。
更新時間:2025-09-29
 9.0um 高功耗臺式FP-QC中紅外量子聯(lián)激光器
峰值工作波長 9.0um,輸出功率 400mw,光譜寬度 3nm,輸出隔離度 30db,臺式規(guī)格尺寸 340(l)×240(w)×100(h)mm
更新時間:2025-09-29
2-12um MCT中紅外 非冷卻 光浸式多結(jié)光伏探測器 PVMI系列
pvmi系列(pvmi-8/pvmi-10.6)是基于復(fù)雜的hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外多結(jié)光伏探測器,采用光學(xué)浸沒的方式改善器件的參數(shù),以達(dá)到的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt入射時性能佳。這是一款te別適用于在2 ~ 12 μm光譜范圍內(nèi)工作的大感光面探測器。
更新時間:2025-09-29
2.0-12.0um 非冷卻 光電磁MCT紅外光伏探測器 PEM系列
產(chǎn)品總覽pem系列是一款基于光電磁效應(yīng)的mct紅外光伏探測器。光入射會使探測器內(nèi)部半導(dǎo)體產(chǎn)生的電子空穴對在磁場的作用下移動。該器件在10.6 μm處探測性能佳,是一款te別適用于探測連續(xù)波和低頻調(diào)制輻射的大感光面探測器。
更新時間:2025-09-29
3.0-12.0um 超高速MCT光浸式紅外光伏探測模塊
產(chǎn)品總覽uhsm-i-10.6是一款超高速單對紅外檢測模塊。它是基于mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒式光伏探測器,在緊湊的外殼中集成了跨阻、交流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層(wznsear)窗可防止不必要的干擾效應(yīng)。
更新時間:2025-09-29
2-12um MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-4TE系列
pvi-4te系列是基于復(fù)雜的hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級熱電冷卻紅外光電探測器,具有的性能和穩(wěn)定性,同時采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測器在λopt時具有他本身的z佳性能。起始波長可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動態(tài)范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。
更新時間:2025-09-29
2.9–5.5?m 碲鎘汞 MCT(HgCdTe) 平衡/自動平衡 紅外檢測模塊 1.8 MHz
產(chǎn)品總覽nipm-i-5是一款專為差分光信號檢測而設(shè)計的紅外檢測模塊。該設(shè)備可以在平衡和自動平衡模式下運行。該檢測模塊使用兩個基于 hgcdte 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的獨立檢測器。這些 ir 檢測器(信號和參考)精確匹配,以實現(xiàn)非常高的共模抑制比 (cmrr)。 nipm-i-5 專用于在激光的過量噪聲超過檢測器的基本噪聲的系統(tǒng)中運行。
更新時間:2025-09-29
2.7-5.6um DC-18MHz碲鎘汞可編程實驗室紅外檢測模塊(帶光浸式光伏探測器)
產(chǎn)品總覽labm-i-5是一種檢測模塊,其特征是基于hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)(pvi-2te-5-1×1-to8-wal2o3-36)的te冷卻、光學(xué)浸沒光伏紅外探測器,與可編程跨阻抗放大器(pip系列)集成。為了正常運行,需要可編程的vigo熱電冷卻器控制器ptcc-01(單獨出售)和smart manager軟件(免費軟件)。
更新時間:2025-09-29
碲鎘汞 MCT(HgCdTe)通用紅外檢測模塊 3.0–6.7?m DC–1 MHz
產(chǎn)品總覽um-i-6是一款通用的一體化紅外檢測模塊。它是基于碲鎘汞異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒光伏探測器,在緊湊的外殼中集成了跨阻、直流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻器控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗戶防止不必要的干擾效果。um-i-6檢測模塊是非常方便和用戶友好的設(shè)備,因此可以很容易地用于各種mwir應(yīng)用。
更新時間:2025-09-29
1-12um 中紅外非冷卻光浸沒式MCT光電導(dǎo)探測器 PCI系列
pci系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測器,通過光學(xué)浸沒來改善器件的參數(shù),具有的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt時工作性能佳。截止波長受gaas透過率(~0.9μm)的限制。此設(shè)備應(yīng)該在的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時探測器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。
更新時間:2025-09-29
190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器
190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器筱曉光子的硅基放大光電探測器感光范圍覆蓋190nm~1100nm,可實現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換,動態(tài)范圍寬,適用于各種光電開發(fā)場景,性能,性價比高,提供quan方位技術(shù)支持,常應(yīng)用于紫外與可見光測量。
更新時間:2025-09-29
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測器 ,感光范圍覆蓋800nm~1700nm, 常用于 近紅外光測量;放大型探測器,8檔可調(diào)增益 ,定量化光電轉(zhuǎn)換;動態(tài)范圍寬 ,適用于各種光電開發(fā)場景 ,應(yīng)用廣泛
更新時間:2025-09-29
320-1000nm放大型固定增益硅光電探測器
320-1000nm放大型固定增益硅光電探測器銦鎵砷雪崩光電探測器(apd)設(shè)計用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測器更強的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外,還提供具有可變增益(即m因子)和/或溫度補償?shù)陌姹尽?/div> 更新時間:2025-09-29
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器銦鎵砷雪崩光電探測器(apd)設(shè)計用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測器更強的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外,還提供具有可變增益(即m因子)和/或溫度補償?shù)陌姹尽?/div> 更新時間:2025-09-29
 InGaAs蓋革模式雪崩光電二管 光譜響應(yīng)范圍0.9-1.7μm
光譜響應(yīng)范圍0.9~1.7μm;響應(yīng)度 @1550nm: 0.85 a/w; 3針to46 封裝;smf-28e 光纖耦合;fc/apc, 不帶 tce
更新時間:2025-09-29
 銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面PIN光電二管 900-1800nm
光譜響應(yīng)范圍 900-1700nm;光敏面直徑 10mm;響應(yīng)度@1550nm 0.95 a/w; 光敏材料 ingaas;5 pin腳
更新時間:2025-09-29
2.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測器 PVI系列
2.5-6.5um mct中紅外非制冷光電探測器 pvi系列pvi系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測器,采用光學(xué)浸沒的方式提高器件的性能參數(shù),使其具有的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時達(dá)到它本身能達(dá)到的的z佳性能。
更新時間:2025-09-29
 InGaAs光電二管模塊 光譜響應(yīng)800-1600nm
光譜響應(yīng)范圍 800-1600nm,速度 1.25gbps,帶tia,5pin腳
更新時間:2025-09-29
800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器
800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器我們的硅探測器 ,感光范圍覆蓋190nm~1100nm, 常用于紫外 與可見光測量;放大型探測器,8檔可調(diào)增益 ,定量光電轉(zhuǎn)換;動態(tài)范圍寬 ,適用于各種光電開發(fā)場景 ,應(yīng)用廣泛;
更新時間:2025-09-29
 InGaAs蓋革模式雪崩光電二管 光譜響應(yīng)0.9-1.7μm
光譜響應(yīng)范圍0.9~1.7μm;響應(yīng)度 @1550nm: 0.85 a/w; 6針to8 封裝;smf-28e 光纖耦合;fc/apc, 帶 tce
更新時間:2025-09-29
 硅Si高性能雪崩光電二管 400-1000nm 感光直徑0.5mm 封裝TO-18
感光面積:0.2mm2 感光直徑:0.5mm 擊穿電壓:225v 結(jié)電容:1.6pf 暗電流:15na 增益:150 噪聲電流:0.23pa/√hz 封裝:to-18,平面窗口 峰值靈敏度波長:830 nm 響應(yīng)時間: 響應(yīng)度: 在830 nm為77 a/w 在900 nm處為65 a/w 上升/下降時間:0.5ns 溫度系數(shù):0.7v/°c 波長:400-1100nm
更新時間:2025-09-29
 硅Si雪崩光電二管 905nm  400-1100nm 光敏面直徑0.5mm
光譜響應(yīng)范圍:400-1100nm 峰值響應(yīng)波長:905nm 光敏面直徑:0.5mm 封裝:lcc3
更新時間:2025-09-29
320~1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器
320~1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器我們的硅探測器 ,感光范圍覆蓋190nm~1100nm, 常用于紫外 與可見光測量;放大型探測器,8檔可調(diào)增益 ,定量光電轉(zhuǎn)換;動態(tài)范圍寬 ,適用于各種光電開發(fā)場景 ,應(yīng)用廣泛;
更新時間:2025-09-29

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