其他產(chǎn)品及廠家
加工定制：是類型：指針式電阻測(cè)量?jī)x表品牌：yaos堯順型號(hào)：dx200ghd測(cè)量范圍：10-5--105ω（mω）電 源：220±10%測(cè)試電壓：2 mv、20 mv、200 mv、2v（v）精度：0.1%重量：8.5（kg）尺 寸：345mm*480mm*145mm規(guī)格：φ30x180
更新時(shí)間:2026-01-07
城市道路積水監(jiān)測(cè)系統(tǒng)是山東天合環(huán)境科技有限公司研發(fā)生產(chǎn)，可以及時(shí)避免人員、車輛誤入深水路段造成重大人身傷害與經(jīng)濟(jì)損失。
更新時(shí)間:2026-01-07
fluke 6200-2 pat測(cè)試儀是輕便、小巧的一鍵式解決方案，6200-2的設(shè)計(jì)宗旨是在不影響您和客戶安全的前提下更快地工作。一鍵式解決方案...只需按下一個(gè)按鈕，即可啟動(dòng)預(yù)設(shè)測(cè)試程序。簡(jiǎn)化測(cè)試實(shí)現(xiàn)更快更高效的工作方式。6200-2重約為3 kg，重量輕、易攜帶。堅(jiān)固耐用的便攜箱(標(biāo)配)可以提供運(yùn)輸保護(hù)還提供額外存儲(chǔ)空間。體積小...該便攜式電器測(cè)試儀結(jié)構(gòu)非常緊湊，并且具有福祿克一貫的耐用性
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ats-msi 4000是阿儀網(wǎng)針對(duì)lpddr4及高速存儲(chǔ)器芯片推出的專業(yè)級(jí)信號(hào)完整性測(cè)試平臺(tái)。系統(tǒng)深度融合高精度眼圖分析、皮秒級(jí)時(shí)序測(cè)量與深度抖動(dòng)分解功能，提供從研發(fā)調(diào)試、預(yù)合規(guī)驗(yàn)證到失效分析的完整解決方案。其應(yīng)對(duì)低電壓、高速度的優(yōu)化設(shè)計(jì)，特別適合移動(dòng)設(shè)備、汽車電子等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)器接口的嚴(yán)苛驗(yàn)證需求。
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lpdvt-4000是阿儀網(wǎng)專為lpddr4國(guó)產(chǎn)化替代設(shè)計(jì)的性能驗(yàn)證平臺(tái)，支持4266mbps高速測(cè)試，提供從基礎(chǔ)功能到可靠性的全流程驗(yàn)證方案，重點(diǎn)解決低電壓、高速度帶來(lái)的測(cè)試挑戰(zhàn)。
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7405ETS-LINDGREN近場(chǎng)探頭，硬件測(cè)試，開放實(shí)驗(yàn)室，DDR測(cè)試，時(shí)序測(cè)試，紋波測(cè)試，抖動(dòng)測(cè)試
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場(chǎng)探頭 儀器資訊
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misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 nemtest dito 靜電放電模擬器 儀器資訊
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阿儀網(wǎng) pcie 5.0 轉(zhuǎn)接卡信號(hào)質(zhì)量綜合測(cè)試系統(tǒng)? 是一款面向高速接口卡設(shè)計(jì)與驗(yàn)證的專用平臺(tái)。該系統(tǒng)深度整合了高精度矢量網(wǎng)絡(luò)分析（vna）、多通道高速示波器及自動(dòng)化眼圖掃描與分析軟件，提供從通道s參數(shù)建模到壓力眼圖測(cè)試的全套解決方案。它能夠評(píng)估轉(zhuǎn)接卡在32 gt/s速率下的插入損耗、回波損耗、阻抗連續(xù)性及眼圖裕量，幫助工程師快速定位設(shè)計(jì)缺陷，量化優(yōu)化效果，是確保轉(zhuǎn)接卡設(shè)計(jì)一次成功的關(guān)鍵工具
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遇到的問(wèn)題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫正常，memory mapping空間讀寫異常
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cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線與pci總線不同，pcie總線使用端到端的連接方式，在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備，這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成，目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路，還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2026-01-07
pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處，但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生，然后再經(jīng)過(guò)該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer)，終發(fā)送出去。
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pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài)，主電源已經(jīng)停止供電時(shí)，pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求，使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
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pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定，懷疑以下原因：- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題- serdes電源問(wèn)題- 時(shí)鐘問(wèn)題
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pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試集成電路的發(fā)明是人類歷史上的大創(chuàng)舉，它大地推動(dòng)了人類的現(xiàn)代文明進(jìn)程，在天無(wú)時(shí)無(wú)刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來(lái)，集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平，更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能，當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來(lái)說(shuō)遇到的挑戰(zhàn)和問(wèn)題也就越來(lái)越嚴(yán)峻。
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pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中，般提供×16的pcie插槽，并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線組成32對(duì)差分信號(hào)，其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路，另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號(hào)。
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pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來(lái)信噪比(snr)的挑戰(zhàn)，也即隨著信號(hào)幅度越來(lái)越低，對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來(lái)越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來(lái)越來(lái)越熱的pam 調(diào)制，比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù)，由于采用 4 電平調(diào)制，其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
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pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線定義了兩類配置請(qǐng)求，個(gè)是type00h配置請(qǐng)求，另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
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pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代，工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車，每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)，但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律，也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
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pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要，其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過(guò)程中，發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
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pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配，只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠商，而device id代表這個(gè)廠商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7，其vendor id為0x10ee，而device id為0x7028。
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pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真，那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，如果要改善， 只能再改板調(diào)整，還可能出現(xiàn)改板很多次的情況，這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2026-01-07
梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120（有問(wèn)題，產(chǎn)品上留有碎渣） 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
更新時(shí)間:2026-01-07
nfps-5000是阿儀網(wǎng)專為nand flash測(cè)試開發(fā)的精密測(cè)試平臺(tái)，集成四大測(cè)試模塊，提供從基礎(chǔ)測(cè)試到分析的全套解決方案。系統(tǒng)支持自動(dòng)化測(cè)試流程，大幅提升測(cè)試效率和準(zhǔn)確性。
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emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí)，焊盤部分要增加敷銅禁布框，避免銅皮分布不均影響散熱，導(dǎo)致貼片虛焊。
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emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式，發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚夾地線，而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上，整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲，于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
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emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
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emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
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emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上，示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗；電纜的另頭剝開，屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上，中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本，低衰減比，缺點(diǎn)是致性不好，隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2026-01-07
相關(guān)產(chǎn)品：emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō)，emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2026-01-07
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller，包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2026-01-07
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface（cmd，data，clk）、memory core interface、總線接口控制（card interface controller）、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2026-01-07
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過(guò)發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問(wèn)。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2026-01-07
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state，發(fā)送完 cid 后，emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2026-01-07
相關(guān)產(chǎn)品：電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2026-01-07
相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host，頻率與 clk 信號(hào)相同，用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用，啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性，省去總線 tuning 過(guò)程。
更新時(shí)間:2026-01-07
相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
更新時(shí)間:2026-01-07
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
更新時(shí)間:2026-01-07
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開始接收 response。
更新時(shí)間:2026-01-07
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開始接收 response。
更新時(shí)間:2026-01-07
clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試，眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值，不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2026-01-07
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下，data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù)，其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) （byte 1,3,5...），下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)（byte 2,4,6 ...）。
更新時(shí)間:2026-01-07
復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí)，host 可以發(fā)送 cmd19 命令，觸發(fā)總線測(cè)試過(guò)程（bus testing procedure），測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2026-01-07
運(yùn)用jigaotest系統(tǒng)設(shè)計(jì)研發(fā)的一款用來(lái)檢測(cè)土工合成材料及相關(guān)復(fù)合材料在垂直方向水流透過(guò)率的測(cè)試設(shè)備。 土工布透水性測(cè)定儀 土工布透水性
更新時(shí)間:2026-01-07
大體積混凝土溫度測(cè)試儀，該儀器可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)大體積混凝土凝固過(guò)程中因釋放水化熱引起的混凝土內(nèi)部的溫升，從而可及時(shí)做出應(yīng)對(duì)策略，避免混凝土因溫升造成的開裂等嚴(yán)重后果。此儀器系統(tǒng)主要適用于鐵路、水利、電力、市政、建筑等領(lǐng)域；可對(duì)混凝土內(nèi)部溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),并可通過(guò)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)與計(jì)算機(jī)進(jìn)行通信，實(shí)現(xiàn)了真正意義上的遠(yuǎn)程監(jiān)控。
更新時(shí)間:2026-01-07
依據(jù)gbl0294-2008標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造，用于檢測(cè)絕熱材料導(dǎo)熱系數(shù)的專用設(shè)備。 導(dǎo)熱系數(shù)(或熱阻)是保溫材料主要熱工性能之一，是鑒別材料保溫性能的主要技術(shù)指標(biāo)。近幾年來(lái)，隨著建筑節(jié)能法規(guī)的出臺(tái)，我國(guó)對(duì)建筑節(jié)能越來(lái)越重視。因此，測(cè)定該參數(shù)是十分必要的.對(duì)于合理選材具有十分重要的意義
更新時(shí)間:2026-01-07
本試驗(yàn)機(jī)適用于測(cè)定各種保溫材料的壓縮強(qiáng)度，也可用于符合本試驗(yàn)機(jī)條件的其它試驗(yàn)。液晶顯示、可與微機(jī)連接實(shí)現(xiàn)微機(jī)控制。具有造型美觀，設(shè)計(jì)合理，性能穩(wěn)定，結(jié)構(gòu)緊湊操作方便優(yōu)點(diǎn)。
更新時(shí)間:2026-01-07
mts-5006b 熱變形維卡溫度測(cè)定儀適用于測(cè)試高分子材料的維卡軟化點(diǎn)溫度和熱變形溫， 作為控制質(zhì)量和鑒定新品種熱性能的一個(gè)指標(biāo)，由百分表測(cè)量形變，溫控儀設(shè)定升溫速度， 試樣架自動(dòng)升降，一次可試驗(yàn)三個(gè)試樣。操作方便、設(shè)計(jì)新穎、外形美觀、性高。符合gb/t 1633《熱塑性塑料軟化溫度（vst）的測(cè)定》、gb/t1634《塑料彎曲負(fù)載熱變形溫度試驗(yàn)方法》
更新時(shí)間:2026-01-07
依據(jù)gb/t5480.5-2008礦物棉及其制品試驗(yàn)方法渣球含量之標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制做，可對(duì)玻璃棉及其制品，礦渣棉、巖棉、及其制品，硅酸鋁棉及其制品進(jìn)行渣球含量進(jìn)行分析。具有體積小、外形美觀實(shí)用等特點(diǎn)，
更新時(shí)間:2026-01-07
最新產(chǎn)品
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