光學(xué)平臺產(chǎn)品及廠家

紫外雙面光刻機(jī)
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積：6 英寸，對準(zhǔn)精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時(shí)間:2026-01-12
紫外雙面光刻機(jī)
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機(jī), 曝光面積：8 英寸, 曝光波長：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對準(zhǔn)精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時(shí)間:2026-01-12
雙面光刻機(jī)
ure-2000s/25s 型雙面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2026-01-12
紫外雙面光刻機(jī)
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：6 英寸，正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2026-01-12
雙面光刻機(jī)
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機(jī), 曝光面積：4 英寸, 正面對準(zhǔn)采用雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過 ccd+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué) 大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2026-01-12
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/30 型紫外單面光刻機(jī),高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時(shí)觀察對準(zhǔn)過程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對準(zhǔn)，又可用于檢測曝光結(jié)果，且曝光結(jié)果和方便存儲
更新時(shí)間:2026-01-12
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準(zhǔn)精度：≤±0.8μm
更新時(shí)間:2026-01-12
美國 OAI 光刻機(jī) Model 200 型桌面掩模對準(zhǔn)器系統(tǒng)
美國 oai 光刻機(jī) model 200 型桌面掩模對準(zhǔn)器系統(tǒng)，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時(shí)間:2026-01-12
德國 Sentech 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
entech rie si591 平板電容式反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時(shí)間:2026-01-12
德國 Sentech 等離子體 ICP 干法刻蝕機(jī)
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng)，感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)臺，低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕，高速率刻蝕，內(nèi)置icp等離子源，動(dòng)態(tài)溫控。
更新時(shí)間:2026-01-12
奧地利SmartNIL紫外納米壓印
奧地利smartnil紫外納米壓印：evg7200，leds 制作，led pss納米壓印工藝，led納米透鏡陣列；微流體學(xué)；芯片實(shí)驗(yàn)室；抗反射層； 納米壓印光柵； 蓮花效應(yīng)；光子帶隙；光學(xué)及通訊：光晶體，激光器件；生物技術(shù)解決方案：醫(yī)藥分析，血液分析，細(xì)胞生長。
更新時(shí)間:2026-01-12
奧地利EVG掩膜光刻機(jī)
evg610是一款非常靈活的適用于研發(fā)和小批量試產(chǎn)的對準(zhǔn)系統(tǒng)，可處理大200mm之內(nèi)的各種規(guī)格的晶片。evg610支持各種標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝，例如：真空、軟、硬接觸和接近曝光；也支持其他特殊的應(yīng)用，如鍵合對準(zhǔn)、納米壓印光刻、微接觸印刷等。系統(tǒng)中的工具更換非常簡便快捷，每次更換都可在一分鐘之內(nèi)完成，而不需要門的工程人員和培訓(xùn)，非常適合大學(xué)、研究所的科研實(shí)驗(yàn)和小批量生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2026-01-12
奧地利EVG鍵合機(jī)
奧地利evg鍵合機(jī)：evg510，是一款半自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理大200mm的晶圓，非常適合于研發(fā)和小批量生產(chǎn)。evg510提供了除上料和下料外的全自動(dòng)工藝處理過程，并配備了業(yè)界公認(rèn)的優(yōu)異的加熱和壓力均勻性系統(tǒng)。evg510模塊化的鍵合腔室設(shè)計(jì)可用于150mm或200mm晶圓鍵合，并且其工藝菜單與evg其他更高系列的鍵合機(jī)相匹配，可以方便的實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)線到量產(chǎn)線的工藝復(fù)制。
更新時(shí)間:2026-01-12
奧地利EVG鍵合機(jī)
evg520is是一款設(shè)計(jì)用于小批量生產(chǎn)的半自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)， 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術(shù)及客戶反饋基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)的evg520is，配備了evg公司的利吸盤設(shè)計(jì)---這種吸盤可以提供對稱的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優(yōu)勢特性，如獨(dú)立的上下盤加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等，都幫助客戶很好的實(shí)施鍵合研究和生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2026-01-12
奧地利EVG單雙面光刻機(jī)(帶有壓印功能）
evg620 單面/雙面光刻機(jī)(帶有壓印功能），evg620 是一款非常靈活和可靠的光刻設(shè)備，可配置為半自動(dòng)也可以為全自動(dòng)形式。evg620 既可以用作雙面光刻機(jī)也可以用作 150mm 硅片的精確對準(zhǔn)設(shè)備；既可以用作研發(fā)設(shè)備，也可以用作量產(chǎn)設(shè)備。精密的契型補(bǔ)償
更新時(shí)間:2026-01-12
日本Ulvac干法等離子刻蝕裝置
ne-550z是高真空load-lock式干法等離子刻蝕裝置，適用于半導(dǎo)體材料、金屬材料等的精細(xì)刻蝕
更新時(shí)間:2026-01-12
日本Ulvac返回式真空濺射裝置
返回式真空濺射裝置 cs-200z，高真空交直流濺射設(shè)備.適用于金屬、合金 、陶瓷材料的高品質(zhì)濺射成膜.
更新時(shí)間:2026-01-12
美國Neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)
美國neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)pioneer 180-2-pld,一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結(jié)構(gòu)和納米粒子合成的方法
更新時(shí)間:2026-01-12
氮化鎵支撐片，晶片，硅片
2英寸氮化鎵自支撐晶片, 10×10.5mm²氮化鎵自支撐晶片, 非性/半性氮化鎵自支撐晶片, 4英寸氮化鎵厚膜晶片, 2英寸氮化鋁厚膜晶片, 2英寸氮化鎵厚膜晶片
更新時(shí)間:2026-01-12
法國Annealsys 高溫退火爐
法國annealsys 高溫退火爐as-one, 多用途快速熱處理設(shè)備，適用于硅，化合物半導(dǎo)體，太陽能電池& mems.
更新時(shí)間:2026-01-12
德國MBE-Komponenten 分子束外延系統(tǒng)
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-19f,寬廣的測試范圍，可測試 0.03~0.13um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。octoplus 400 是一款通用型mbe系統(tǒng)，非常適合于iii/v族， ii/vi族，及其他復(fù)合半導(dǎo)體材料應(yīng)用。兼容2-4英寸標(biāo)準(zhǔn)晶片。豎直分割式腔體設(shè)計(jì)，可以裝配各種源爐，實(shí)現(xiàn)不同材料分子束外延生長。
更新時(shí)間:2026-01-12
德國UnitemP真空快速退火爐
德國unitemp真空快速退火爐rtp-150, 單晶圓，150mm，快升溫速率可達(dá)150k/s
更新時(shí)間:2026-01-12
奧地利EVG紫外納米壓印系統(tǒng)
evg的hercules nil 300 mm是一個(gè)完全集成的納米壓印系統(tǒng)，是evg的nil產(chǎn)品組合的新成員。 hercules nil基于模塊化平臺，在單個(gè)平臺上將清洗模塊，抗蝕劑涂層模塊和烘烤預(yù)處理模塊與evg的有smartnil大面積納米壓?。╪il）模塊結(jié)合在一起，用于直徑大為300 mm的晶片。
更新時(shí)間:2026-01-12
奧地利EVG紫外納米壓印系統(tǒng)
evg720紫外納米壓印用于從印章到襯底的紫外圖形轉(zhuǎn)移。evg720自動(dòng)納米壓印系統(tǒng)允許襯底和印章的尺寸從很小的芯片到150mm直徑的圓片范圍。
更新時(shí)間:2026-01-12
英國Nanobean 電子束光刻機(jī)
英國nanobean nb5 電子束光刻機(jī),具有良好的穩(wěn)定性，平均正常運(yùn)行時(shí)間超過93%.
更新時(shí)間:2026-01-12
瑞典 Mycronic 掩膜版光刻機(jī)
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機(jī) fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導(dǎo)體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時(shí)間:2026-01-12
瑞典 Mycronic 光刻機(jī)
主要優(yōu)勢提高分辨率 25%更佳的貼片性能 70%更快的寫入速度20%
更新時(shí)間:2026-01-12
德Raith 電子束光刻機(jī)
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺，運(yùn)動(dòng)行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實(shí)現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時(shí)間:2026-01-12
德國Raith 電子束光刻機(jī)
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺設(shè)計(jì)，對電子束直寫應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時(shí)間:2026-01-12
德國Raith Voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī)
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī),系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標(biāo)，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對外界環(huán)境的容忍度。
更新時(shí)間:2026-01-12
德國 Raith 150 Two 高分辨電子束曝光系統(tǒng)
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2026-01-12
美國OAI紫外光刻機(jī)
oai model 212型桌面掩模對準(zhǔn)系統(tǒng), 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時(shí)間:2026-01-12
美國OAI掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)
oai model 800e 型掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)，各種光譜范圍選項(xiàng):hg燈:g(436nm),h(405nm)， i(365nm)和310nm線，hg-xe燈:260nm和220nm
更新時(shí)間:2026-01-12
英國HHV 適合手套箱集成的真空鍍膜系統(tǒng)
英國hhv auto500 gb 適合手套箱集成的真空鍍膜系統(tǒng)，是門設(shè)計(jì)用于手套箱集成使用的鍍膜設(shè)備，滿足氧氣或水汽敏感的材料鍍膜的應(yīng)用要求。該系統(tǒng)配了一個(gè)特殊結(jié)構(gòu)的真空腔室，可直接與市場上大多數(shù)手套箱集成到一起。真空腔室的門可豎直滑動(dòng)開關(guān)，嵌入手套箱內(nèi)，并占用很少的手套箱空間；其后門是鉸鏈扇式開關(guān)，能在不影響手套箱內(nèi)氣氛的情況下輕松維護(hù)腔室內(nèi)工藝組件。
更新時(shí)間:2026-01-12
全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡
echo pro 全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡美 sonix 全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡echo pro , 批量 tray盤和框架直接掃瞄, 編程自動(dòng)判別缺陷, 高產(chǎn)量,無需人員重復(fù)設(shè)置, 自動(dòng)烘干.
更新時(shí)間:2026-01-12
日本Elionix微細(xì)加式電子束曝光電子束直寫機(jī)
日本elionix 微細(xì)加式電子束曝光電子束直寫機(jī)els-f125，是elionix推出的上臺加速電壓達(dá)125kv的電子束曝光系統(tǒng)，其可加工線寬下限為5nm的精細(xì)圖形。
更新時(shí)間:2026-01-12
日本Elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng)
日本elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng) els-f150, 是上第 個(gè)150千伏電子束光刻系統(tǒng)。支持單位納米用于高研究的設(shè)備制造。
更新時(shí)間:2026-01-12
德國MBE-Komponenten 分子束外延系統(tǒng)
octoplus 500 mbe系統(tǒng)是為了在6英寸襯底上生長高質(zhì)量的iii/v族或者ii-vi族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料而研發(fā)業(yè)分子束外延系統(tǒng)。樣品臺選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標(biāo)準(zhǔn)的octoplus 500有11個(gè)呈放射狀分布的源孔，可以根據(jù)需要增選3個(gè)源孔。
更新時(shí)間:2026-01-12
德國Leica 全新精研一體機(jī)
德國leica em txp全新精研一體機(jī)，是一款獨(dú)特的可對目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行精確定位的表面處理工具，特別適合于sem，tem及l(fā)m觀察之對樣品進(jìn)行切割、拋光等系列處理。它尤其適合于制備高難度樣品，如需要對目標(biāo)精細(xì)定位或需對肉眼難以觀察的微小目標(biāo)進(jìn)行定點(diǎn)處理。
更新時(shí)間:2026-01-12
基恩士KEYENCE形狀測量激光顯微系統(tǒng)
keyence 基恩士 形狀測量激光顯微系統(tǒng)全新 vk-x3000，納米 / 微米 / 毫米，一臺即可完成測量。292 種分析工具，一臺即可了解希望獲取的信息。一臺即包含了光學(xué)顯微鏡，臺階儀，光學(xué)輪廓儀，及電鏡功能。
更新時(shí)間:2026-01-12
日本理音RION 氣體粒子計(jì)數(shù)器
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-02( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測試粒徑（2個(gè)通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2026-01-12
日本理音RION氣體粒子計(jì)數(shù)器
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-03( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm ，≥1μm ， ≥2μm ，≥5μm ，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2026-01-12
日本理音RION氣體粒子計(jì)數(shù)器
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-82( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.1μm ， ≥0.15μm， ≥0.2μm ， ≥0.3μm ， ≥0.5μm ，大粒子數(shù)濃度：10 000顆/l （誤差值低于5%）
更新時(shí)間:2026-01-12
綠光納鉆孔設(shè)備
玻璃去油墨設(shè)備,采用訂制紫外納激光器對玻璃表面進(jìn)行去油墨以及油墨微加工， 將產(chǎn)品損傷降至低。
更新時(shí)間:2026-01-12
美國OAI光刻機(jī)
oai 800型光學(xué)正面和背面光刻機(jī)系統(tǒng), 是半自動(dòng),four-camera、光學(xué)正面和背面光刻機(jī)。它提供其精確的(1碌m - 2 m碌)對準(zhǔn)精度,旨在大大超過任何紅外背后對準(zhǔn)器性能的一個(gè)非常有競爭力的價(jià)格。通用模型800光刻機(jī)是理想的用于低產(chǎn)量、研發(fā)實(shí)驗(yàn)室和大學(xué)。
更新時(shí)間:2026-01-12
瑞士納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)機(jī)
瑞士nanofrazor 3d納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)，源于發(fā)明stm和afm的ibm蘇黎世研發(fā)中心，是其在納米加工技術(shù)的新研究成果。nanofrazor納米3d結(jié)構(gòu)直寫機(jī)第 一次將納米尺度下的3d結(jié)構(gòu)直寫工藝快速化、穩(wěn)定化。
更新時(shí)間:2026-01-12
中國nanoArch科研3D打印機(jī)
nanoarch科研3d打印機(jī)m160 ，本套系統(tǒng)創(chuàng)新地使用了自動(dòng)化的多材料送料系統(tǒng)，兼顧高精度和多材料打印，可支持同時(shí)打印4種樹脂基復(fù)合材料進(jìn)行層間或?qū)觾?nèi)多材料3d打印，適用于基礎(chǔ)理論驗(yàn)證及原理創(chuàng)新研究，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。其主要應(yīng)用在點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)材料、功能梯度材料、超材料、復(fù)合材料、復(fù)雜微流控，多材料4d打印等方面。
更新時(shí)間:2026-01-12
中國nanoArch科研3D打印機(jī)
nanoarch微納3d打印機(jī) p130/s130 ，科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2026-01-12
中國nanoArch科研3D打印機(jī)
nanoarch 3d打印機(jī)p140/s140 ，科研3d打印系統(tǒng)，擁有10μm的超高打印精度和10μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2026-01-12
理音RION 采樣器統(tǒng)
理音rion kz-30uk采樣器，易于操作的室內(nèi)化學(xué)采樣器，當(dāng)腔體壓力過高的時(shí)候， 可以排凈空氣，防止發(fā)生故障 ，設(shè)計(jì)簡單的化學(xué)防爆采樣器，kz-30uk的設(shè)計(jì)是可以為 離線測試的液體粒子計(jì)數(shù)器提供加壓。
更新時(shí)間:2026-01-12

最新產(chǎn)品

熱門儀器： 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計(jì) 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗(yàn)機(jī) 酸度計(jì)（PH計(jì)） 離心機(jī) 高速離心機(jī) 冷凍離心機(jī) 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 生物試劑