光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠(chǎng)家
psylab人因測(cè)試與評(píng)估云平臺(tái)一、系統(tǒng)簡(jiǎn)介psylab人因測(cè)試與評(píng)估云平臺(tái)是北京津發(fā)科技股份有限公司基于“人-機(jī)-環(huán)境”和“人-信息-物理”系統(tǒng)理論，自主創(chuàng)新與配置的主觀(guān)量化評(píng)價(jià)與測(cè)試系統(tǒng)。系統(tǒng)可用于對(duì)被試進(jìn)行主觀(guān)施測(cè)，包括問(wèn)卷、量表以及
更新時(shí)間:2026-01-09
psylab智能人因測(cè)試云平臺(tái)一、系統(tǒng)簡(jiǎn)介psylab智能人因測(cè)試云平臺(tái)是北京津發(fā)科技股份有限公司基于“人-機(jī)-環(huán)境”和“人-信息-物理”系統(tǒng)理論，自主創(chuàng)新與配置的主觀(guān)量化評(píng)價(jià)與測(cè)試系統(tǒng)。系統(tǒng)可用于對(duì)被試進(jìn)行主觀(guān)施測(cè)，包括問(wèn)卷、量表以及行為
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psylab心理測(cè)試云平臺(tái)一、系統(tǒng)簡(jiǎn)介psylab心理測(cè)試云平臺(tái)是北京津發(fā)科技股份有限公司基于“人-機(jī)-環(huán)境”和“人-信息-物理”系統(tǒng)理論，自主創(chuàng)新與配置的主觀(guān)量化評(píng)價(jià)與測(cè)試系統(tǒng)。系統(tǒng)可用于對(duì)被試進(jìn)行主觀(guān)施測(cè)，包括問(wèn)卷、量表以及行為實(shí)驗(yàn)范式
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ure-2000b 型紫外單面光刻機(jī)，曝光面積：100mmx100mm，分辨力：0.8μm（膠厚 2μm 的正膠）
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ure-2000/600 紫外單面光刻機(jī)，光束口徑： 650mm×650mm，對(duì)準(zhǔn)精度： ±1.5μm
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ds-2000/14k 無(wú)掩膜單面光刻機(jī)，采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素?cái)?shù) 1024×768，采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時(shí)間:2026-01-09
ds-2000/14g 型無(wú)掩模單面光刻機(jī),采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素?cái)?shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像，分辨力 1um。
更新時(shí)間:2026-01-09
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機(jī),,非常適合工廠(chǎng)（效率高，操作傻瓜型，全自動(dòng)）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動(dòng)找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動(dòng)分離對(duì)準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進(jìn)口（德國(guó)）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀(guān)精制，性能非?？煽浚詣?dòng)化程度很高，操作十分方便。
更新時(shí)間:2026-01-09
ure-2000/35 型紫外單面光刻機(jī),非常適合工廠(chǎng)（效率高，操作傻瓜型，自動(dòng)化程度高）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動(dòng)找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動(dòng)分離對(duì)準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進(jìn)口（德國(guó)）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀(guān)精制，性能非?？煽?，自動(dòng)化程度很高，操作十分方便。
更新時(shí)間:2026-01-09
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長(zhǎng)）
更新時(shí)間:2026-01-09
ure-2000/17 型紫外單面光刻機(jī)（臺(tái)式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對(duì)準(zhǔn)精度：±1μm
更新時(shí)間:2026-01-09
ure-2000/25 型紫外單面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對(duì)準(zhǔn)精度：± 0.8μm
更新時(shí)間:2026-01-09
ure-2000s/25a 型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：6 英寸，分辨力：1 μm
更新時(shí)間:2026-01-09
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸，正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2026-01-09
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積：6 英寸，對(duì)準(zhǔn)精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時(shí)間:2026-01-09
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機(jī), 曝光面積：8 英寸, 曝光波長(zhǎng)：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對(duì)準(zhǔn)精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時(shí)間:2026-01-09
ure-2000s/25s 型雙面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
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ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：6 英寸，正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
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ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機(jī), 曝光面積：4 英寸, 正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué) 大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
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ure-2000/30 型紫外單面光刻機(jī),高倍率雙目雙視場(chǎng)顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時(shí)觀(guān)察對(duì)準(zhǔn)過(guò)程，并提供 usb 輸出；既滿(mǎn)足高精度對(duì)準(zhǔn)，又可用于檢測(cè)曝光結(jié)果，且曝光結(jié)果和方便存儲(chǔ)
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ure-2000/35al 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長(zhǎng)）,對(duì)準(zhǔn)精度：≤±0.8μm
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美國(guó) oai 光刻機(jī) model 200 型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)器系統(tǒng)，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線(xiàn)，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時(shí)間:2026-01-09
oai model 212型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng), 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時(shí)間:2026-01-09
oai model 800e 型掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，各種光譜范圍選項(xiàng):hg燈:g(436nm),h(405nm)， i(365nm)和310nm線(xiàn)，hg-xe燈:260nm和220nm
更新時(shí)間:2026-01-09
oai 掩膜光刻機(jī) model 6000型，高吞吐量180 wph，靈活處理基板從2“平方到12”平方
更新時(shí)間:2026-01-09
oai的面板掩模光刻機(jī) model 6020s, 用于foplp型號(hào)6020s -半自動(dòng)化或自動(dòng)化,實(shí)現(xiàn)500mm x 500mm 晶圓尺寸的fo-plp加工.
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nie-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)，nir-4000 ibe/rie 雙刻蝕系統(tǒng)，通過(guò)加速的 ar 離子進(jìn)行物理刻蝕或銑削。對(duì)于硅的化合物也可以通過(guò)反應(yīng)離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。
更新時(shí)間:2026-01-09
德國(guó)sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機(jī)，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢(shì)。它以ptsa等離子體源、動(dòng)態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進(jìn)的sentech 控制軟件為基礎(chǔ)，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)技術(shù)，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶(hù)界面。靈活性和模塊化是si 500的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。
更新時(shí)間:2026-01-09
俄羅斯 optosystem 準(zhǔn)分子激光器：cl7000, 準(zhǔn)分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器，由于波長(zhǎng)短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應(yīng)用上，準(zhǔn)分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫(xiě)，lasik，光刻，微納加工等方面占主導(dǎo)的地位。
更新時(shí)間:2026-01-09
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺(tái),提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時(shí)間:2026-01-09
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機(jī)meb550sl3，可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜，目全球主要超導(dǎo)量子實(shí)驗(yàn)室均使用該設(shè)備制備超導(dǎo)al結(jié)（量子比特和約瑟夫森結(jié)）和量子器件，可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復(fù)性超導(dǎo)結(jié)。
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美arradiance 臺(tái)式三維原子沉積系統(tǒng)ald，在小巧的機(jī)身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積。gemstar xt全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計(jì)，使溫度均勻性高達(dá)99.9%，氣流對(duì)溫度影響減少到0.03%以下。
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德國(guó) sentech pe-ald 等離子體增強(qiáng)--原子層沉積系統(tǒng)，是在3d結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過(guò)在工藝循環(huán)過(guò)程中在真空腔室分步加入置物實(shí)現(xiàn)。等離子增強(qiáng)原子層沉積（peald）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來(lái)增強(qiáng)ald性能的先進(jìn)方法。
更新時(shí)間:2026-01-09
德國(guó) sentech si 500 d 等離子沉積機(jī)，具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
更新時(shí)間:2026-01-09
德國(guó)sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機(jī),。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，控溫基片電，可選配低頻混頻，全控?zé)o油真空系統(tǒng)采用先進(jìn)的森泰克控制軟件，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)技術(shù)，具有非常友好的通用用戶(hù)界面用于操作si 500 ppd的用戶(hù)界面。
更新時(shí)間:2026-01-09
pecvd depolab 200 等離子體沉積機(jī),將平行板等離子體源設(shè)計(jì)與直接負(fù)載相結(jié)合,可以升為更大的抽油機(jī)、低頻電源和額外的燃?xì)夤艿馈?/div>
更新時(shí)間:2026-01-09
sentech etchlab200 經(jīng)濟(jì)型反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(可升級(jí))，包括抽速更大的真空單元、預(yù)真空室及附加氣路等。
更新時(shí)間:2026-01-09
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機(jī)是一種將rie平行板電設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)與直接負(fù)載的低成本設(shè)計(jì)相結(jié)合的直接負(fù)載等離子體蝕刻機(jī)系列。etchlab 200具有簡(jiǎn)單快速的樣品加載功能，從零件到200a€‰mm或300a€‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時(shí)間:2026-01-09
ure-2000 系列紫外單面光刻機(jī)此系列包含六種型號(hào)：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時(shí)間:2026-01-09
ure-2000s 系列雙面光刻機(jī)，對(duì)準(zhǔn)精度：±2 mm（雙面,片厚 0.8mm），±0.8mm（單面）
更新時(shí)間:2026-01-09
已獲得利的高速襯底架（高達(dá)1000rpm）設(shè)計(jì)，并配備了白光光學(xué)監(jiān)視器（wlom）——更為準(zhǔn)確的實(shí)時(shí)光學(xué)薄膜控制
更新時(shí)間:2026-01-09
plasmapro 100 estrelas牛津深硅刻蝕系統(tǒng)，旨在提供深硅蝕刻（dsie）域的全方位的靈活性以滿(mǎn)足微電子機(jī)械系統(tǒng)（mems）、 先進(jìn)封裝以及納米技術(shù)市場(chǎng)的各種工藝要求。考慮到研究和生產(chǎn)的市場(chǎng)發(fā)展，plasmapro 100 estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。
更新時(shí)間:2026-01-09
plasmapro 100 ale 牛津原子層刻蝕機(jī)，市場(chǎng)應(yīng)用廣，包括但不限于： mems和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術(shù)。它具有足夠的靈活性，可用于研究和開(kāi)發(fā)，通過(guò)打造質(zhì)量滿(mǎn)足生產(chǎn)需求。
更新時(shí)間:2026-01-09
suss蘇斯/休斯，evg, oai等系列光刻機(jī)用曝光燈hbo系列，suss蘇斯，evg, oai公司生產(chǎn)的半導(dǎo)體和太陽(yáng)能行業(yè)用光刻機(jī)，目得到業(yè)界的廣泛認(rèn)同，該系列光刻機(jī)曝光系統(tǒng)的曝光燈，主要是由德國(guó)歐司朗及日本牛尾公司生產(chǎn)的曝光燈進(jìn)行配套供應(yīng)。歐司朗/牛尾曝光燈系列，具備良好的光通量，穩(wěn)定的光強(qiáng)度以及優(yōu)質(zhì)的品質(zhì)受到業(yè)界的青睞。
更新時(shí)間:2026-01-09
adlema先進(jìn)的檢漏機(jī)bt4000技 術(shù) 規(guī) 格• 尺 寸 :270x200x300mm• 重 量 :8kg• 電 源 輸 入 :24 vdc• 管 徑 :4x2, 6x4, 8x6, 10x8
更新時(shí)間:2026-01-09
美國(guó)kla insem ht原位高溫納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)，納米壓痕儀，樣品加溫可達(dá)800 ℃，樣品尺寸可達(dá)10mm，裝樣系統(tǒng)與真空環(huán)境兼容
更新時(shí)間:2026-01-09
ure-2000/34al型光刻機(jī)，曝光分辨率： 0.8μm-1μm ，套準(zhǔn)精度：±0.8-1μm
更新時(shí)間:2026-01-09
德國(guó)yxlon多用途高分辨率ct系統(tǒng)ff35 ct,微焦點(diǎn)、納米焦點(diǎn)雙射線(xiàn) 源配置，大限度提高多 功能性 • 單或雙射線(xiàn)源配置，可大限度提高 ct 應(yīng)用 多功能性
更新時(shí)間:2026-01-09
英國(guó)nanobean nb5 電子束光刻機(jī),具有良好的穩(wěn)定性，平均正常運(yùn)行時(shí)間超過(guò)93%.
更新時(shí)間:2026-01-09
最新產(chǎn)品
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