光學(xué)平臺產(chǎn)品及廠家
dwl 66+激光光刻系統(tǒng)是具經(jīng)濟效益的高分辨率圖像產(chǎn)生器, 具有多種直寫模塊，實現(xiàn)不同精度直寫需求, 能于結(jié)構(gòu)上進行灰度曝光
更新時間:2025-09-29
德國海德堡 heidelberg 激光直寫光刻機 mla150,德國高精密激光直寫繪圖機,非接觸式曝光,可支持高效數(shù)位光刻與灰度光刻.
更新時間:2025-09-29
octoplus 500 mbe系統(tǒng)是為了在6英寸襯底上生長高質(zhì)量的iii/v族或者ii-vi族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料而研發(fā)業(yè)分子束外延系統(tǒng)。樣品臺選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標準的octoplus 500有11個呈放射狀分布的源孔，可以根據(jù)需要增選3個源孔。
更新時間:2025-09-29
德國leica em txp全新精研一體機，是一款獨特的可對目標區(qū)域進行精確定位的表面處理工具，特別適合于sem，tem及l(fā)m觀察之對樣品進行切割、拋光等系列處理。它尤其適合于制備高難度樣品，如需要對目標精細定位或需對肉眼難以觀察的微小目標進行定點處理。
更新時間:2025-09-29
keyence 基恩士 形狀測量激光顯微系統(tǒng)全新 vk-x3000，納米 / 微米 / 毫米，一臺即可完成測量。292 種分析工具，一臺即可了解希望獲取的信息。一臺即包含了光學(xué)顯微鏡，臺階儀，光學(xué)輪廓儀，及電鏡功能。
更新時間:2025-09-29
奧地利smartnil紫外納米壓印：evg7200，leds 制作，led pss納米壓印工藝，led納米透鏡陣列；微流體學(xué)；芯片實驗室；抗反射層； 納米壓印光柵； 蓮花效應(yīng)；光子帶隙；光學(xué)及通訊：光晶體，激光器件；生物技術(shù)解決方案：醫(yī)藥分析，血液分析，細胞生長。
更新時間:2025-09-29
evg610是一款非常靈活的適用于研發(fā)和小批量試產(chǎn)的對準系統(tǒng)，可處理大200mm之內(nèi)的各種規(guī)格的晶片。evg610支持各種標準的光刻工藝，例如：真空、軟、硬接觸和接近曝光；也支持其他特殊的應(yīng)用，如鍵合對準、納米壓印光刻、微接觸印刷等。系統(tǒng)中的工具更換非常簡便快捷，每次更換都可在一分鐘之內(nèi)完成，而不需要門的工程人員和培訓(xùn)，非常適合大學(xué)、研究所的科研實驗和小批量生產(chǎn)。
更新時間:2025-09-29
新一代超高精度電子束光刻機 p21，樣品尺寸覆蓋 2/4/6 英寸晶圓，超高寫場拼接精度，電子束閉環(huán)控制系統(tǒng)，束流的時間及空間穩(wěn)定性高，高性能 30 kv 電子束光刻機。
更新時間:2025-09-29
opticool超精準全開放強磁場低溫光學(xué)研究平臺，系統(tǒng)擁有3.8英寸超大樣品腔、雙錐型劈裂磁體，可在超大空間為您提供高達±7t的磁場。多達7個側(cè)面窗口、1個頂部超大窗口方便光線由各個方向引入樣品腔，高度集成式的設(shè)計讓您的樣品在擁有低溫磁場的同時擺脫大型低溫系統(tǒng)的各種束縛。
更新時間:2025-09-29
attoafm/attomfm/attoshpm 低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡，采用模塊化的設(shè)計。利用標配的控制器和樣品掃描臺，用戶僅需要更換掃描頭和對應(yīng)的光學(xué)部件即可實現(xiàn)不同功能之間的切換。
更新時間:2025-09-29
德國sentech光伏測量儀mdpmap，靈活的自動掃描系統(tǒng)，是專為半導(dǎo)體晶片或部分工藝過的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測量而設(shè)計的。mdpmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns)到穩(wěn)態(tài)測量(幾ms)，研究不同深度的缺陷動力學(xué)和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規(guī)測量以及復(fù)雜的研發(fā)應(yīng)用。
更新時間:2025-09-29
100s接觸角測量儀是采用光學(xué)成像的原理，通過圖像輪廓分析方式測量樣品表面接觸角、潤濕性能、表界面張力、表面能等性能，設(shè)備性價比高、功能全面、可滿足各種常規(guī)測量需要。
更新時間:2025-09-29
德國kruss標準型dsa25接觸角測量儀，接觸角測量范圍：0-180，接觸角測量精度：±0.10，表界面張力測量范圍：0-1000mn/m；測量精度：0.01 mn/m
更新時間:2025-09-29
ds-2000/14k 無掩膜單面光刻機，采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素數(shù) 1024×768，采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時間:2025-09-29
ds-2000/14g 型無掩模單面光刻機,采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素數(shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像，分辨力 1um。
更新時間:2025-09-29
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機,,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，全自動）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制，性能非常可靠，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時間:2025-09-29
ure-2000/35 型紫外單面光刻機,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制，性能非常可靠，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時間:2025-09-29
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機,曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長）
更新時間:2025-09-29
ure-2000/17 型紫外單面光刻機（臺式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對準精度：±1μm
更新時間:2025-09-29
ure-2000/25 型紫外單面光刻機，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對準精度：± 0.8μm
更新時間:2025-09-29
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機，曝光面積：4 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時間:2025-09-29
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機,曝光面積：6 英寸，對準精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時間:2025-09-29
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機, 曝光面積：8 英寸, 曝光波長：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對準精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時間:2025-09-29
ure-2000s/25s 型雙面光刻機，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時間:2025-09-29
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機，曝光面積：6 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時間:2025-09-29
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機, 曝光面積：4 英寸, 正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學(xué)合像，光學(xué) 大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時間:2025-09-29
ure-2000/30 型紫外單面光刻機,高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時觀察對準過程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對準，又可用于檢測曝光結(jié)果，且曝光結(jié)果和方便存儲
更新時間:2025-09-29
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機,曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準精度：≤±0.8μm
更新時間:2025-09-29
ion 100wb-40q 德國 pva tepla 等離子去膠機，最新推出的具有高性價比的真空等離子去膠設(shè)備，配備了一個圓筒石英腔，特別適用于半導(dǎo)體、led、mems等領(lǐng)域的光刻膠灰化、打殘膠、氮化物刻蝕、表面清潔等應(yīng)用的批次處理。
更新時間:2025-09-29
208hr高分辨離子濺射儀-適用于場發(fā)射掃描電鏡，可選擇多種鍍膜材料，精確的膜厚控制，樣品臺控制靈活，多個樣品座，樣品室?guī)缀慰勺儯瑢挿秶牟僮鲏毫，緊湊、現(xiàn)代的桌上型設(shè)計，操作容易。
更新時間:2025-09-29
oai 6000 fsa 全自動上側(cè)或后側(cè)光刻機,具有完全自動化的亞微米分辨率的頂側(cè)或背側(cè)對齊，提供無與倫比的性價比。
更新時間:2025-09-29
ksi v-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，四探頭系統(tǒng)，同時使用4只換能器
更新時間:2025-09-29
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，該系統(tǒng)同時使用8只換能器，能最大限度的確？焖賵D像采集和高效能。
更新時間:2025-09-29
奧地利evg鍵合機：evg510，是一款半自動晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理大200mm的晶圓，非常適合于研發(fā)和小批量生產(chǎn)。evg510提供了除上料和下料外的全自動工藝處理過程，并配備了業(yè)界公認的優(yōu)異的加熱和壓力均勻性系統(tǒng)。evg510模塊化的鍵合腔室設(shè)計可用于150mm或200mm晶圓鍵合，并且其工藝菜單與evg其他更高系列的鍵合機相匹配，可以方便的實現(xiàn)從實驗線到量產(chǎn)線的工藝復(fù)制。
更新時間:2025-09-29
evg520is是一款設(shè)計用于小批量生產(chǎn)的半自動晶圓鍵合系統(tǒng)， 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術(shù)及客戶反饋基礎(chǔ)上設(shè)計的evg520is，配備了evg公司的利吸盤設(shè)計---這種吸盤可以提供對稱的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優(yōu)勢特性，如獨立的上下盤加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等，都幫助客戶很好的實施鍵合研究和生產(chǎn)。
更新時間:2025-09-29
evg620 單面/雙面光刻機(帶有壓印功能），evg620 是一款非常靈活和可靠的光刻設(shè)備，可配置為半自動也可以為全自動形式。evg620 既可以用作雙面光刻機也可以用作 150mm 硅片的精確對準設(shè)備；既可以用作研發(fā)設(shè)備，也可以用作量產(chǎn)設(shè)備。精密的契型補償
更新時間:2025-09-29
返回式真空濺射裝置 cs-200z，高真空交直流濺射設(shè)備.適用于金屬、合金 、陶瓷材料的高品質(zhì)濺射成膜.
更新時間:2025-09-29
美國neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)pioneer 180-2-pld,一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結(jié)構(gòu)和納米粒子合成的方法
更新時間:2025-09-29
2英寸氮化鎵自支撐晶片, 10×10.5mm²氮化鎵自支撐晶片, 非性/半性氮化鎵自支撐晶片, 4英寸氮化鎵厚膜晶片, 2英寸氮化鋁厚膜晶片, 2英寸氮化鎵厚膜晶片
更新時間:2025-09-29
法國annealsys 高溫退火爐as-one, 多用途快速熱處理設(shè)備，適用于硅，化合物半導(dǎo)體，太陽能電池& mems.
更新時間:2025-09-29
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-19f,寬廣的測試范圍，可測試 0.03~0.13um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準的顆粒數(shù)據(jù)。octoplus 400 是一款通用型mbe系統(tǒng)，非常適合于iii/v族， ii/vi族，及其他復(fù)合半導(dǎo)體材料應(yīng)用。兼容2-4英寸標準晶片。豎直分割式腔體設(shè)計，可以裝配各種源爐，實現(xiàn)不同材料分子束外延生長。
更新時間:2025-09-29
evg的hercules nil 300 mm是一個完全集成的納米壓印系統(tǒng)，是evg的nil產(chǎn)品組合的新成員。 hercules nil基于模塊化平臺，在單個平臺上將清洗模塊，抗蝕劑涂層模塊和烘烤預(yù)處理模塊與evg的有smartnil大面積納米壓。╪il）模塊結(jié)合在一起，用于直徑大為300 mm的晶片。
更新時間:2025-09-29
evg720紫外納米壓印用于從印章到襯底的紫外圖形轉(zhuǎn)移。evg720自動納米壓印系統(tǒng)允許襯底和印章的尺寸從很小的芯片到150mm直徑的圓片范圍。
更新時間:2025-09-29
最新產(chǎn)品
- 蘇州柴油，蘇州中石化柴油配送商 2025/10/5 7:03:11
- ?日本Magnescale測量探規(guī)_位移傳感器 2025/10/5 4:21:56
- ?日本Magnescale測量探規(guī)_位移傳感器 2025/10/5 4:18:40
- 日本Magnescale測量探規(guī)_位移傳感器 2025/10/5 4:05:49
- 日本Magnescale測量探規(guī)_位移傳感器 2025/10/5 4:02:45
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- 日本Magnescale測量探規(guī)_位移傳感器 2025/10/5 3:46:23
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- 日本Magnescale測量探規(guī)_位移傳感器 2025/10/5 3:43:31
- 日本Magnescale測量探規(guī)_位移傳感器 2025/10/5 3:42:06
- 日本Magnescale測量探規(guī)_位移傳感器 2025/10/5 3:41:26
- 日本Magnescale測量探規(guī)_位移傳感器 2025/10/5 3:40:36
- 日本Magnescale測量探規(guī)_位移傳感器 2025/10/5 3:39:55
- 日本Magnescale測量探規(guī)_位移傳感器 2025/10/5 3:38:45
- 日本Magnescale信號讀數(shù)頭_磁柵尺讀頭 2025/10/5 3:31:12
- 日本Magnescale信號讀數(shù)頭_磁柵尺讀頭 2025/10/5 3:30:39
- 日本Magnescale信號讀數(shù)頭_磁柵尺讀頭 2025/10/5 3:27:58
- 日本Magnescale磁性尺讀數(shù)頭_磁柵尺讀頭 2025/10/5 3:21:40
- 日本Magnescale磁柵尺讀頭電纜_讀頭電纜 2025/10/5 3:14:41
- 日本Magnescale磁尺信號讀頭_讀數(shù)頭電纜 2025/10/5 3:04:09
- 日本Magnescale磁尺信號讀頭_讀數(shù)頭電纜 2025/10/5 3:03:21
- 日本Magnescale磁尺信號讀頭_讀數(shù)頭電纜 2025/10/5 3:02:43
- 日本Magnescale磁尺信號讀頭_讀數(shù)頭電纜 2025/10/5 3:01:57
- 日本Magnescale磁尺信號讀頭_讀數(shù)頭電纜 2025/10/5 3:01:06
- 日本Magnescale磁尺信號讀頭_讀數(shù)頭電纜 2025/10/5 3:00:10
- 日本Magnescale磁尺信號讀頭_讀數(shù)頭電纜 2025/10/5 2:59:38
- 日本Magnescale磁尺信號讀頭_讀數(shù)頭電纜 2025/10/5 2:58:58