探測器產品及廠家

VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器功率測試方案
vcsel垂直腔面發(fā)射激光器功率測試方案使用獨有的spectralon 、permaflect或spectraflect積分球對器件發(fā)光進行收集。該材料對紫外-可見-紅外范圍內的光都具有極高的光譜反射率，可分別滿足研發(fā)端和產線段對高低溫度測試和產線端設備免維護性的要求。此外，通過選擇不同尺寸的積分球，可以滿足從毫瓦到千瓦量級的激光功率測試。
更新時間:2025-05-14
Si-PIN探測器
moxtek公司生產的si-pin探測器基于公司超低噪聲的jfet電路及優(yōu)異的鈹窗技術研制而成，主要應用于手持式或臺式x射線熒光光譜儀中，作為能量分辨的探測器。 xpin-xt探測器主要技術指標有效探測面積：6 mm2 、 13 mm2硅片厚度：450um、625um
更新時間:2025-05-14
Si-PIN探測器
moxtek公司成立于1986年，分為x射線部門和光學器件部門，是全球知名的高科技企業(yè)，為客戶提供創(chuàng)新的產品應用方案。moxtek生產的si-pin探測器基于公司超低噪聲的jfet電路及優(yōu)異的鈹窗技術研制而成，主要應用于手持式或臺式x射線熒光光譜儀中，作為能量分辨的探測器。
更新時間:2025-05-14
VITUS-SDD探測器
德國ketek是世界上最早生產硅漂移探測器的公司產品具備高能量分辨、高計數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強、操作簡便等優(yōu)點，多次隨美國火星探測器登陸火星，為人類獲得了許多火星上物質主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測器可以正常工作。
更新時間:2025-05-14
VIAMP-SDD探測器
德國ketek是世界上最早生產硅漂移探測器的公司產品具備高能量分辨、高計數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強、操作簡便等優(yōu)點，多次隨美國火星探測器登陸火星，為人類獲得了許多火星上物質主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測器可以正常工作。
更新時間:2025-05-14
AXAS-A-SDD探測器
集成了vitus系列的sdd探測器的分析系統(tǒng)，使用了脈沖復位機制的前置放大器，從而保證了探測器能夠在高計數(shù)率下工作集成供電高壓電路，溫控電路，用戶只需使用±12v電源即可，使用方便用戶可以定制封裝探測器的finger的長度，標準長度為100mm，另有多種長度可選高度集成化設計，外形緊湊，便于集成德國ketek是世界上最早生產硅漂移探測器的公司產品具備高能量分辨、高計數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強、操作簡便等優(yōu)點，多次隨美國火星探測器登陸火星，為人類獲取了許多火星主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測器可以正常工作。
更新時間:2025-05-14
AXAS-D-SDD探測器
集成了vitus系列的sdd探測器的分析系統(tǒng)，使用了脈沖復位機制的前置放大器，從而保證了探測器能夠在高計數(shù)率下工作集成供電高壓電路，溫控電路，用戶只需使用±12v電源即可，使用方便用戶可以定制封裝探測器的finger的長度，標準長度為100mm，另有多種長度可選高度集成化設計，外形緊湊，便于集成德國ketek是世界上最早生產硅漂移探測器的公司產品具備高能量分辨、高計數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強、操作簡便等優(yōu)點，多次隨美國火星探測器登陸火星，為人類獲取了許多火星主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測器可以正常工作。
更新時間:2025-05-14
ElFys 黑硅探測器
elfys的高性能四象限探測器是建立在公司在黑硅技術上的專業(yè)性。開創(chuàng)性的方法允許得到近乎理想的從uv到nir波段的外部量子效率，使其實際上每個入射光子都能被探測到并轉換為可測量的信號。
更新時間:2025-05-14
薄膜熱釋電紅外探測器
目前市面上存在兩種紅外光譜儀：光柵分光紅外譜儀和傅立葉變換紅外譜儀（ft-ir）。針對這種應用，pyreos公司可以提供兩種探測器解決方案：1.線陣列型探測器+線性變化紅外濾光片；2.單點探測器+紅外濾光片
更新時間:2025-05-14
X射線源和探測器
美國moxtek公司是一家專業(yè)的小型x射線源和探測器的生產商，為您提供性能、價格相對低廉用于生產手持式以及臺式x射線熒光光譜分析儀的元件。
更新時間:2025-05-14
紫外增強硅探測器
a5v-35uv是全球的探測器生產廠家osi公司生產的35通道紫外增強硅探測器, 非常適合應用于此類分光光度計. 先鋒科技股份有限公司作為osi在國內此領域的代理商，為國內客戶提供適用于生化分析儀的探測器。
更新時間:2025-05-14
傅里葉紅外光譜儀FTIR專用紅外探測器
紅外光譜是分子分析的重要手段，幾乎所有的分子都有其獨特的紅外“指紋”，傅里葉紅外光譜（ftir）已經(jīng)成為工業(yè)紅外光譜分析的標準手段。目前ftir的探測器通常選用兩種，分別為dtgs和液氮制冷mct探測器。dtgs屬熱釋電探測器，響應速度快，噪聲影響小，能實現(xiàn)高速掃描；mct碲鎘汞屬光檢測器，靈敏度高。
更新時間:2025-05-14
筆式可燃氣體探測器 JKBX169
筆式可燃氣體探測器 jkbx169本產品采用催化燃燒式氣敏元件，功耗低、靈敏度高，結合先進電子技術及精良工藝制成。此氣體探測器具有電源指示、欠壓指示、故障指示、報警指示及聲音提示等功能。功耗低，靈敏度高。
更新時間:2025-05-14
氣體探測器，JKCP01
氣體探測器，jkcp01氣體探測器，jkcp01 jkcp01氣體探測器是我公司生產的新型氣體檢測儀器，該儀器采用優(yōu)質氣體傳感器結合精良工藝制造而成，具有良好的重復性和抗?jié)駵囟雀蓴_性，以及使用壽命長、操作方便等優(yōu)點。
更新時間:2025-05-14
超快亞太赫茲探測器 響應時間1μs 光譜范圍50GHz-0.7THz
terasense的超快探測器ultrafast，通過直接觀察其脈沖響應函數(shù)證實響應時間小于150 ps。用廣譜范圍為0.1至3thz的，200nj、1ps的激光脈沖激發(fā)該探測器，其響應由高速示波器記錄。響應功能顯示了由示波器4 ghz帶寬限制的150 ps的上升和下降時間。測量的短響應時間使得我們的探測器可以直接研究thz科學和電信中的快速瞬態(tài)過程。
更新時間:2025-05-14
中紅外MCT兩TE冷卻光電探測器 2-12μm
響應波長范圍 2-12μm；佳波長 3μm；相對響應強度≥7×10^10 cm∙hz^(1/2)/w@3μm；光敏面 0.1×0.1mm^2；抗反射涂層窗口
更新時間:2025-05-14
銦鎵砷InGaAs放大型光電探測器 800-1700nm 5MHz
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面直徑@2mm 波長800-1700nm (可擴展到2600nm,5mhz) 峰值響應0.9 a/w@1550nm ,9mv/uw@1550nm 飽和光功率660 uw@1550nm (hi-z) 帶寬 dc •-5mhz
更新時間:2025-05-14
銦鎵砷InGaAs雪崩光電探測器 800~1700nm 350MHz
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時間:2025-05-14
銦鎵砷InGaAs雪崩光電探測器 800~1700nm 350MHz
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時間:2025-05-14
InGaAs單元探測器 光譜相應800-1700nm 帶寬DC-100M
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時間:2025-05-14
銦鎵砷InGaAs蝶形封裝低噪聲光電平衡探測器 1100-1700nm
波長: 1100~1700nm,帶寬:200 mhz,探測器響應度 0.95@1550nm aw
更新時間:2025-05-14
InGaAs增益可調平衡探測器 800-1700nm 帶寬DC-100M
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30；接頭 fc/apc
更新時間:2025-05-14
集成InGaAs光電平衡探測器 光纖耦合器800-1700nm
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30mm
更新時間:2025-05-14
銦鎵砷 InGaAs 直流耦合低噪聲光電探測器 200MHz
高跨阻增益: 7500 v/w (1550nm) 帶寬:200 mhz 直流耦合 2個顯示器輸出(未校準) 波長范圍:1000nm至1700nm 光纖耦合:光纖通道接收器 輸出: 50 ω sma插頭 寬范圍單電源:11至15 v
更新時間:2025-05-14
微弱光相干接收模塊 集成光電平衡探測器 1530nm-1565nm
探測器類型 ingaas；光譜相應 1530nm-1565nm；帶寬 dc-50m；外形尺寸 120*100*25mm
更新時間:2025-05-14
銦鎵砷InGaAs高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊
工作波長 1550nm；光敏面直徑 800um；電壓響應度 5 mv/w； 象限間隔 50um；光敏材料 ingaas
更新時間:2025-05-14
2mm 擴展型大光敏面InGaAS光電探測器模塊 1000-2600nm
光譜響應范圍 1000-2600nm；光敏面直徑 2mm；響應度 75% @1550nm,100@@2000nm；ingaas銦鎵砷探測器模塊；工作帶寬 50mhz
更新時間:2025-05-14
InGaAs光電平衡探測器 800-1700nm 響應度0.95@1550nm
探測器類型 ingaas；光譜相應 800~1700nm；帶寬 dc-350m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時間:2025-05-14
InGaAs單光子陣列探測器組件 950-1650nm
器件類型 ingaas apd；工作波長 950～1650nm；陣列規(guī)模 4x4；像元大小 100μm x 100μm；光敏面大小 85μm x 85μm；石英光窗；探測效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
更新時間:2025-05-14
InGaAs平衡探測器 1510-1590nm 帶寬DC-100M
探測器類型 ingaas；光譜相應 1510-1590nm；帶寬 dc-100m；響應度 0.95@1550nm；外形尺寸 120*100*25mm
更新時間:2025-05-14
2mm大光敏面InGaAs銦鎵砷光電探測器 450-2700nm
光譜響應范圍 450-2700nm，光敏面直徑 2mm，響應度 1.0a/w @2.2um，ingaas銦鎵砷探測器，封裝規(guī)格 to-5
更新時間:2025-05-14
1064nm四象限Si光電探測器 光敏面直徑16mm 直流響應度0.3A/W
光敏面直徑 16mm；直流響應度 0.3a/w； 光敏材料 si； 擊穿電壓 200v
更新時間:2025-05-14
8mm 大光敏面硅Si硅光電探測器 響應波段400-1100nm
8mm光敏面直徑，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜25ns，to8封裝
更新時間:2025-05-14
6mm 大光敏面硅Si光電探測器 響應波段400-1100nm
6mm光敏面，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜2ns,to8封裝
更新時間:2025-05-14
法蘭式Si光電探測器 光敏面積4mm 響應波段400-1100nm
4mm光敏面，法蘭式結構，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜2ns，to8封裝
更新時間:2025-05-14
法蘭式SI光電探測器 光敏面積200um 響應波段400-1100nm
200um光敏面直徑,法蘭式結構，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜2ns
更新時間:2025-05-14
光纖耦合式Si光電探測器 光敏面直徑200um 響應速度＜2ns
200um光敏面直徑,單模光纖耦合，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜2ns，fc/apc接頭
更新時間:2025-05-14
2mm SI光電探測器 響應波段400-1100nm 響應速度＜8ns
2mm直徑光敏面，響應波段：400-1100nm，si基材料 響應速度：＜8ns，to5封裝
更新時間:2025-05-14
硅Si放大型光電探測器 320-1100nm DC-200kHz
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波長320-1100nm 峰值響應0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 飽和光功率6uw @960nm(hi-z) 帶寬dc - 200khz
更新時間:2025-05-14
硅Si光電平衡探測器 400-1100nm 100MHz 響應度0.55@850nm
工作波長400~1100nm 帶寬100mhz 探測器型號: si硅 探測器響應度 0.55@850nm
更新時間:2025-05-14
砷化銦InAs光伏探測器 峰值波長3.35μm 光靈敏度1.0A/W
峰值波長λp：3.35μm 截止波長λc：3.65μm 光靈敏度：1.0a/w 峰值探測率d*：4.5 × 109（cm·hz1/2/w） nep：1.5 × 10-11（w/hz1/2） to-5封裝
更新時間:2025-05-14
2-5.5μm 紅外兩TE冷卻InAs光浸式光伏探測器
響應波長范圍 2-5.5μm；峰值波長 2.9μm；相對響應強度 ≥5×10^11 cm∙hz^(1/2)/w@2.9μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時間:2025-05-14
Ge鍺光電二管探測器 800-1800nm 響應度0.95A/W
響應波長范圍 800-1800nm；響應度 0.95 a/w；有效面積 10 mm x 10 mm；材料 ge
更新時間:2025-05-14
銦鎵砷 InGaAs 光電探測器 帶寬>2GHz 有效面積直徑100um
材料：ingaas 上升／下降時間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應度：０.９ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ｇｈｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：bnc
更新時間:2025-05-14
銦鎵砷InGaAs高速光電探測器 >10GHz 輸出連接SMA
材料：ingaas 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應度：0.9ａ／ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ｇｈｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接,fc/upc
更新時間:2025-05-14
EOT銦鎵砷InGaAs高速光電探測器 >22GHz FC/UPC SMF28e
材料：ingaas 上升／下降時間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應度：０.7ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ｇｈｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 fc/upc、smf28e
更新時間:2025-05-14
銦鎵砷InGaAs高速光電探測器 >22GHz 輸出連接SMA
材料：ingaas 上升／下降時間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應度：０.7ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ｇｈｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 不適用
更新時間:2025-05-14
銦鎵砷InGaAs高速光電探測器 >15GHz FC/UPC SMF28e
材料：ingaas 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應度：０.６５ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ｇｈｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 fc/upc,smf28e
更新時間:2025-05-14
中紅外量子聯(lián)超快光電探測器 20GHz 4.65μm
響應超過20ghz的超快中紅外光電探測器 頻率響應范圍 (-3 db): 直流到 20 ghz 敏感波長峰值: 4.65 μm 光敏性: 1 ma/w (典型值) 無需冷卻，無需偏置操作
更新時間:2025-05-14
四象限捕獲光電探測接收模塊 1000-1650nm 功率-30dBm
工作波長范圍 1000-1650nm；電壓響應度 2 mv/w；-3db帶寬 2mhz；飽和輸入光功率 -30dbm
更新時間:2025-05-14

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