探測(cè)器產(chǎn)品及廠家
moxtek公司生產(chǎn)的si-pin探測(cè)器基于公司超低噪聲的jfet電路及優(yōu)異的鈹窗技術(shù)研制而成，主要應(yīng)用于手持式或臺(tái)式x射線熒光光譜儀中，作為能量分辨的探測(cè)器。 xpin-xt探測(cè)器主要技術(shù)指標(biāo)有效探測(cè)面積：6 mm2 、 13 mm2硅片厚度：450um、625um
更新時(shí)間:2025-05-14
moxtek公司成立于1986年，分為x射線部門和光學(xué)器件部門，是全球知名的高科技企業(yè)，為客戶提供創(chuàng)新的產(chǎn)品應(yīng)用方案。moxtek生產(chǎn)的si-pin探測(cè)器基于公司超低噪聲的jfet電路及優(yōu)異的鈹窗技術(shù)研制而成，主要應(yīng)用于手持式或臺(tái)式x射線熒光光譜儀中，作為能量分辨的探測(cè)器。
更新時(shí)間:2025-05-14
德國(guó)ketek是世界上最早生產(chǎn)硅漂移探測(cè)器的公司產(chǎn)品具備高能量分辨、高計(jì)數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強(qiáng)、操作簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，多次隨美國(guó)火星探測(cè)器登陸火星，為人類獲得了許多火星上物質(zhì)主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測(cè)器可以正常工作。
更新時(shí)間:2025-05-14
德國(guó)ketek是世界上最早生產(chǎn)硅漂移探測(cè)器的公司產(chǎn)品具備高能量分辨、高計(jì)數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強(qiáng)、操作簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，多次隨美國(guó)火星探測(cè)器登陸火星，為人類獲得了許多火星上物質(zhì)主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測(cè)器可以正常工作。
更新時(shí)間:2025-05-14
集成了vitus系列的sdd探測(cè)器的分析系統(tǒng)，使用了脈沖復(fù)位機(jī)制的前置放大器，從而保證了探測(cè)器能夠在高計(jì)數(shù)率下工作集成供電高壓電路，溫控電路，用戶只需使用±12v電源即可，使用方便用戶可以定制封裝探測(cè)器的finger的長(zhǎng)度，標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度為100mm，另有多種長(zhǎng)度可選高度集成化設(shè)計(jì)，外形緊湊，便于集成德國(guó)ketek是世界上最早生產(chǎn)硅漂移探測(cè)器的公司產(chǎn)品具備高能量分辨、高計(jì)數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強(qiáng)、操作簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，多次隨美國(guó)火星探測(cè)器登陸火星，為人類獲取了許多火星主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測(cè)器可以正常工作。
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集成了vitus系列的sdd探測(cè)器的分析系統(tǒng)，使用了脈沖復(fù)位機(jī)制的前置放大器，從而保證了探測(cè)器能夠在高計(jì)數(shù)率下工作集成供電高壓電路，溫控電路，用戶只需使用±12v電源即可，使用方便用戶可以定制封裝探測(cè)器的finger的長(zhǎng)度，標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度為100mm，另有多種長(zhǎng)度可選高度集成化設(shè)計(jì)，外形緊湊，便于集成德國(guó)ketek是世界上最早生產(chǎn)硅漂移探測(cè)器的公司產(chǎn)品具備高能量分辨、高計(jì)數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強(qiáng)、操作簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，多次隨美國(guó)火星探測(cè)器登陸火星，為人類獲取了許多火星主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測(cè)器可以正常工作。
更新時(shí)間:2025-05-14
elfys的高性能四象限探測(cè)器是建立在公司在黑硅技術(shù)上的專業(yè)性。開創(chuàng)性的方法允許得到近乎理想的從uv到nir波段的外部量子效率，使其實(shí)際上每個(gè)入射光子都能被探測(cè)到并轉(zhuǎn)換為可測(cè)量的信號(hào)。
更新時(shí)間:2025-05-14
目前市面上存在兩種紅外光譜儀：光柵分光紅外譜儀和傅立葉變換紅外譜儀（ft-ir）。針對(duì)這種應(yīng)用，pyreos公司可以提供兩種探測(cè)器解決方案：1.線陣列型探測(cè)器+線性變化紅外濾光片；2.單點(diǎn)探測(cè)器+紅外濾光片
更新時(shí)間:2025-05-14
美國(guó)moxtek公司是一家專業(yè)的小型x射線源和探測(cè)器的生產(chǎn)商，為您提供性能、價(jià)格相對(duì)低廉用于生產(chǎn)手持式以及臺(tái)式x射線熒光光譜分析儀的元件。
更新時(shí)間:2025-05-14
a5v-35uv是全球的探測(cè)器生產(chǎn)廠家osi公司生產(chǎn)的35通道紫外增強(qiáng)硅探測(cè)器, 非常適合應(yīng)用于此類分光光度計(jì). 先鋒科技股份有限公司作為osi在國(guó)內(nèi)此領(lǐng)域的代理商，為國(guó)內(nèi)客戶提供適用于生化分析儀的探測(cè)器。
更新時(shí)間:2025-05-14
紅外光譜是分子分析的重要手段，幾乎所有的分子都有其獨(dú)特的紅外“指紋”，傅里葉紅外光譜（ftir）已經(jīng)成為工業(yè)紅外光譜分析的標(biāo)準(zhǔn)手段。目前ftir的探測(cè)器通常選用兩種，分別為dtgs和液氮制冷mct探測(cè)器。dtgs屬熱釋電探測(cè)器，響應(yīng)速度快，噪聲影響小，能實(shí)現(xiàn)高速掃描；mct碲鎘汞屬光檢測(cè)器，靈敏度高。
更新時(shí)間:2025-05-14
筆式可燃?xì)怏w探測(cè)器 jkbx169本產(chǎn)品采用催化燃燒式氣敏元件，功耗低、靈敏度高，結(jié)合先進(jìn)電子技術(shù)及精良工藝制成。此氣體探測(cè)器具有電源指示、欠壓指示、故障指示、報(bào)警指示及聲音提示等功能。功耗低，靈敏度高。
更新時(shí)間:2025-05-14
氣體探測(cè)器，jkcp01氣體探測(cè)器，jkcp01 jkcp01氣體探測(cè)器是我公司生產(chǎn)的新型氣體檢測(cè)儀器，該儀器采用優(yōu)質(zhì)氣體傳感器結(jié)合精良工藝制造而成，具有良好的重復(fù)性和抗?jié)駵囟雀蓴_性，以及使用壽命長(zhǎng)、操作方便等優(yōu)點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-05-14
terasense的超快探測(cè)器ultrafast，通過直接觀察其脈沖響應(yīng)函數(shù)證實(shí)響應(yīng)時(shí)間小于150 ps。用廣譜范圍為0.1至3thz的，200nj、1ps的激光脈沖激發(fā)該探測(cè)器，其響應(yīng)由高速示波器記錄。響應(yīng)功能顯示了由示波器4 ghz帶寬限制的150 ps的上升和下降時(shí)間。測(cè)量的短響應(yīng)時(shí)間使得我們的探測(cè)器可以直接研究thz科學(xué)和電信中的快速瞬態(tài)過程。
更新時(shí)間:2025-05-14
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 2-12μm；佳波長(zhǎng) 3μm；相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度≥7×10^10 cm∙hz^(1/2)/w@3μm；光敏面 0.1×0.1mm^2；抗反射涂層窗口
更新時(shí)間:2025-05-14
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面直徑@2mm 波長(zhǎng)800-1700nm (可擴(kuò)展到2600nm,5mhz) 峰值響應(yīng)0.9 a/w@1550nm ,9mv/uw@1550nm 飽和光功率660 uw@1550nm (hi-z) 帶寬 dc •-5mhz
更新時(shí)間:2025-05-14
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應(yīng)度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應(yīng)度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
波長(zhǎng): 1100~1700nm,帶寬:200 mhz,探測(cè)器響應(yīng)度 0.95@1550nm aw
更新時(shí)間:2025-05-14
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30；接頭 fc/apc
更新時(shí)間:2025-05-14
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30mm
更新時(shí)間:2025-05-14
高跨阻增益: 7500 v/w (1550nm) 帶寬:200 mhz 直流耦合 2個(gè)顯示器輸出(未校準(zhǔn)) 波長(zhǎng)范圍:1000nm至1700nm 光纖耦合:光纖通道接收器 輸出: 50 ω sma插頭 寬范圍單電源:11至15 v
更新時(shí)間:2025-05-14
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 1530nm-1565nm；帶寬 dc-50m；外形尺寸 120*100*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
工作波長(zhǎng) 1550nm；光敏面直徑 800um；電壓響應(yīng)度 5 mv/w； 象限間隔 50um；光敏材料 ingaas
更新時(shí)間:2025-05-14
光譜響應(yīng)范圍 1000-2600nm；光敏面直徑 2mm；響應(yīng)度 75% @1550nm,100@@2000nm；ingaas銦鎵砷探測(cè)器模塊；工作帶寬 50mhz
更新時(shí)間:2025-05-14
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-350m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
器件類型 ingaas apd；工作波長(zhǎng) 950～1650nm；陣列規(guī)模 4x4；像元大小 100μm x 100μm；光敏面大小 85μm x 85μm；石英光窗；探測(cè)效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
更新時(shí)間:2025-05-14
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 1510-1590nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 120*100*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
光譜響應(yīng)范圍 450-2700nm，光敏面直徑 2mm，響應(yīng)度 1.0a/w @2.2um，ingaas銦鎵砷探測(cè)器，封裝規(guī)格 to-5
更新時(shí)間:2025-05-14
光敏面直徑 16mm；直流響應(yīng)度 0.3a/w； 光敏材料 si； 擊穿電壓 200v
更新時(shí)間:2025-05-14
8mm光敏面直徑，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜25ns，to8封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
6mm光敏面，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns,to8封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
4mm光敏面，法蘭式結(jié)構(gòu)，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns，to8封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
200um光敏面直徑,法蘭式結(jié)構(gòu)，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns
更新時(shí)間:2025-05-14
200um光敏面直徑,單模光纖耦合，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns，fc/apc接頭
更新時(shí)間:2025-05-14
2mm直徑光敏面，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜8ns，to5封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波長(zhǎng)320-1100nm 峰值響應(yīng)0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 飽和光功率6uw @960nm(hi-z) 帶寬dc - 200khz
更新時(shí)間:2025-05-14
工作波長(zhǎng)400~1100nm 帶寬100mhz 探測(cè)器型號(hào): si硅 探測(cè)器響應(yīng)度 0.55@850nm
更新時(shí)間:2025-05-14
峰值波長(zhǎng)λp：3.35μm 截止波長(zhǎng)λc：3.65μm 光靈敏度：1.0a/w 峰值探測(cè)率d*：4.5 × 109（cm·hz1/2/w） nep：1.5 × 10-11（w/hz1/2） to-5封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 2-5.5μm；峰值波長(zhǎng) 2.9μm；相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度 ≥5×10^11 cm∙hz^(1/2)/w@2.9μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時(shí)間:2025-05-14
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 800-1800nm；響應(yīng)度 0.95 a/w；有效面積 10 mm x 10 mm；材料 ge
更新時(shí)間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.９ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ｇｈｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：bnc
更新時(shí)間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應(yīng)度：0.9ａ／ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ｇｈｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接,fc/upc
更新時(shí)間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應(yīng)度：０.7ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ｇｈｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 fc/upc、smf28e
更新時(shí)間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應(yīng)度：０.7ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ｇｈｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 不適用
更新時(shí)間:2025-05-14
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.６５ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ｇｈｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 fc/upc,smf28e
更新時(shí)間:2025-05-14
響應(yīng)超過20ghz的超快中紅外光電探測(cè)器 頻率響應(yīng)范圍 (-3 db): 直流到 20 ghz 敏感波長(zhǎng)峰值: 4.65 μm 光敏性: 1 ma/w (典型值) 無需冷卻，無需偏置操作
更新時(shí)間:2025-05-14
工作波長(zhǎng)范圍 1000-1650nm；電壓響應(yīng)度 2 mv/w；-3db帶寬 2mhz；飽和輸入光功率 -30dbm
更新時(shí)間:2025-05-14
最新產(chǎn)品
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